參數(shù)資料
型號(hào)： NZT45C11
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PNP Current Driver Transistor(PNP電流驅(qū)動(dòng)器晶體管)
中文描述： 4 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 354K
代理商： NZT45C11
D
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
V
(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown
Voltage
I
CES
Collector-Cutoff Current
I
EBO
Emitter-Cutoff Current
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
I
C
= 100 mA, I
B
= 0
60
V
V
CB
= 90 V, I
E
= 0
V
EB
= 5.0 V, I
C
= 0
10
100
μ
A
μ
A
PNP Current Driver
(continued)
ON CHARACTERISTICS
h
FE
DC Current Gain
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
Current Gain - Bandwidth Product
I
C
= 0.2 A, V
CE
= 1.0 V
I
C
= 1.0 A, V
CE
= 1.0 V
I
C
= 1.0 A, I
B
= 50 mA
I
C
= 1.0 A, I
B
= 100 mA
40
20
120
V
CE(
sat
)
V
BE(
sat
)
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter On Voltage
0.5
1.3
V
V
f
T
I
C
= 20 mA, V
CE
= 4.0 V,
32
MHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NZT45H8 PNP Power Amplifier(PNP功率放大器)
NZT560 NPN Low Saturation Transistor
NZT560A NPN Low Saturation Transistor
NZT605 NPN Darlington Transistor
NZT651 NPN Current Driver Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NZT45H8 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NZT560 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN/ 80V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NZT560_03 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Low Saturation Transistor
NZT560_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN/ 80V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NZT560A 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*