參數(shù)資料
型號(hào)： NZT45H8
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PNP Power Amplifier(PNP功率放大器)
中文描述： 8 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： SOT-223, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 141K
代理商： NZT45H8
D
D45H8
PNP Power Amplifier
This device is designed for power amplifier, regulator and switching
circuits where speed is important. Sourced from Process 5Q.
Absolute Maximum Ratings*
TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Value
Units
V
CEO
I
C
T
J
, T
stg
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
Collector-Emitter Voltage
Collector Current - Continuous
Operating and Storage Junction Temperature Range
60
8.0
V
A
°
C
-55 to +150
TO-220
B
C
E
B
C
C
SOT-223
E
NZT45H8
NOTES
:
1)
These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2)
These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Characteristic
Max
Units
D45H8
60
480
2.1
62.5
*NZT45H8
1.5
12
P
D
Total Device Dissipation
Derate above 25
°
C
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
*
Device mounted on FR-4 PCB 36 mm X 18 mm X 1.5 mm; mounting pad for the collector lead min. 6 cm
2
.
W
mW/
°
C
°
C/W
°
C/W
R
θ
JC
R
θ
JA
83.3
Discrete POWER & Signal
Technologies
1997 Fairchild Semiconductor Corporation
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NZT560 NPN Low Saturation Transistor
NZT560A NPN Low Saturation Transistor
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參數(shù)描述
NZT560 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN/ 80V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NZT560_03 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Low Saturation Transistor
NZT560_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN/ 80V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NZT560A 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NZT560A_09 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Low Saturation Transistor
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