參數(shù)資料
型號(hào)： NZT660
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PNP Low Saturation Transistor
中文描述： 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： SOT-223, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/7頁(yè)
文件大?。?/td> 200K
代理商： NZT660
July 1998
NZT660 / NZT660A
PNP Low Saturation Transistor
These devices are designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 3A
continuous.
Absolute Maximum Ratings*
T
A = 25°C unless otherwise noted
°C
-55 to +150
Operating and Storage Junction Temperature Range
T
J,
T
stg
A
3
Collector Current - Continuous
I
C
V
5
Emitter-Base Voltage
V
EBO
V
80
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
60
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
Units
NZT660/NZT660A
Parameter
Symbol
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150°C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
T
A = 25°C unless otherwise noted
°C/W
62.5
Thermal Resistance, Junction to Ambient
R
θ
JA
W
2
Total Device Dissipation
P
D
NZT660/NZT660A
Units
Max
Characteristic
Symbol
Nzt660.lwpPrPA 7/10/98 revC
C
E
C
B
SOT-223
N
1998 Fairchild Semiconductor Corporation
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NZT660A PNP Low Saturation Transistor
NZT6714 NPN General Purpose Amplifier(NPN通用放大器)
NZT6715 NPN General Purpose Amplifier(NPN通用放大器)
NZT6717 NPN General Purpose Amplifier(NPN通用放大器)
NZT6726 PNP General Purpose Amplifier(PNP通用放大器)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NZT660_05 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP Low Saturation Transistor
NZT660_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NZT660A 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NZT660A_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NZT6714 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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