參數(shù)資料
型號(hào)： NZT45C11
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PNP Current Driver Transistor(PNP電流驅(qū)動(dòng)器晶體管)
中文描述： 4 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù)： 1/8頁(yè)
文件大?。?/td> 354K
代理商： NZT45C11
D
D45C11
PNP Current Driver Transistor
This device is designed for power amplifier, regulator and switching
circuits where speed is important. Sourced from Process 5P. See
NZT751 for characteristics.
Absolute Maximum Ratings*
TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Value
Units
V
CEO
I
C
Collector-Emitter Voltage
Collector Current - Continuous
Operating and Storage Junction Temperature Range
80
4.0
V
A
°
C
T
J
, T
stg
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
-55 to +150
NZT45C11
NOTES
:
1)
These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2)
These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Characteristic
Max
Units
D45C11
60
480
2.1
62.5
*NZT45C11
1.2
9.7
P
D
Total Device Dissipation
Derate above 25
°
C
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
W
mW/
°
C
°
C/W
°
C/W
R
θ
JC
R
θ
JA
103
*
Device mounted on FR-4 PCB 36 mm X 18 mm X 1.5 mm; mounting pad for the collector lead min. 6 cm
2
.
TO-220
B
C
E
B
C
C
SOT-223
E
1997 Fairchild Semiconductor Corporation
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NZT45H8 PNP Power Amplifier(PNP功率放大器)
NZT560 NPN Low Saturation Transistor
NZT560A NPN Low Saturation Transistor
NZT605 NPN Darlington Transistor
NZT651 NPN Current Driver Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NZT45H8 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NZT560 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN/ 80V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NZT560_03 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Low Saturation Transistor
NZT560_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN/ 80V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NZT560A 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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