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參數(shù)資料
| 型號： | NZT44H8 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN Power Amplifier |
| 中文描述： | 8 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-223, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 153K |
| 代理商： | NZT44H8 |
D
D44H8
NPN Power Amplifier
This device is designed for power amplifier, regulator and switching
circuits where speed is important. Sourced from Process 4Q.
Absolute Maximum Ratings*
TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Value
Units
V
CEO
I
C
Collector-Emitter Voltage
Collector Current - Continuous
Operating and Storage Junction Temperature Range
60
8.0
V
A
°
C
T
J
, T
stg
-55 to +150
TO-220
B
C
E
NZT44H8
B
C
C
SOT-223
E
NOTES
:
1)
These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2)
These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
Thermal Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Characteristic
Max
Units
D44H8
60
480
2.1
62.5
*NZT44H8
1.5
12
P
D
Total Device Dissipation
Derate above 25
°
C
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
*
Device mounted on FR-4 PCB 36 mm X 18 mm X 1.5 mm; mounting pad for the collector lead min. 6 cm
2
.
W
mW/
°
C
°
C/W
°
C/W
R
θ
JC
R
θ
JA
83.3
Discrete POWER & Signal
Technologies
1997 Fairchild Semiconductor Corporation
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NZT45C11 | PNP Current Driver Transistor(PNP電流驅(qū)動器晶體管) |
| NZT45H8 | PNP Power Amplifier(PNP功率放大器) |
| NZT560 | NPN Low Saturation Transistor |
| NZT560A | NPN Low Saturation Transistor |
| NZT605 | NPN Darlington Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NZT45C11 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP Current Driver Transistor |
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| NZT560 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN/ 80V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| NZT560_03 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Low Saturation Transistor |
| NZT560_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN/ 80V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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