參數(shù)資料
型號(hào)： NZQA5V6AXV5
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Low Capacitance Quad TVS Array for ESD Protection(用于進(jìn)行ESD保護(hù)的低電容四TVS陣列)
中文描述： 四二極管低電容ESD保護(hù)陣列（用于進(jìn)行靜電放電保護(hù)的低電容四二極管陣列）
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
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代理商： NZQA5V6AXV5
NZQA5V6AXV5 Series
http://onsemi.com
3
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS NZQA6V8AXV5
Figure 1. Pulse Width
100
10
1
1
10
100
1000
t, TIME ( s)
P
p
,
Figure 2. Power Derating Curve
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (
°
C)
150
125
100
75
50
25
0
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
100
110
%
P
Figure 3. Reverse Leakage versus
Temperature
0.16
0.02
0
60
0
80
100
T, TEMPERATURE (
°
C)
I
R
,
40
20
60
40
20
0.04
0.06
0.08
0.10
0.12
0.14
Figure 4. Capacitance
14
12
10
8
6
4
2
0
0
1
2
3
6
BIAS VOLTAGE (V)
T
A
= 25
°
C
T
1
4
5
V
F
, FORWARD VOLTAGE (V)
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.1
0.01
0.001
1
I
F
,
T
A
= 25
°
C
Figure 5. 8
×
20 s Pulse Waveform
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
t, TIME ( s)
%
t
r
PULSE WIDTH (t
P
) IS DEFINED
AS THAT POINT WHERE THE
PEAK CURRENT DECAY = 8 s
HALF VALUE I
RSM
/2 @ 20 s
t
P
PEAK VALUE I
RSM
@ 8 s
Figure 6. Forward Voltage
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NZQA6V8AXV5 Low Capacitance Quad Array for ESD Protection(用于進(jìn)行ESD保護(hù)的低容抗方形陣列)
NZT44H8 NPN Power Amplifier
NZT45C11 PNP Current Driver Transistor(PNP電流驅(qū)動(dòng)器晶體管)
NZT45H8 PNP Power Amplifier(PNP功率放大器)
NZT560 NPN Low Saturation Transistor
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參數(shù)描述
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NZQA5V6XV5T1 功能描述:TVS二極管陣列 Quad TVS Array for RoHS:否 制造商:Littelfuse 極性: 通道:4 Channels 擊穿電壓: 鉗位電壓:11.5 V 工作電壓:2.5 V 峰值浪涌電流:20 A 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 端接類(lèi)型:SMD/SMT 系列: 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C
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