型號: | NTUD01N02 |
廠商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | Power MOSFET 100 mAmps, 20 Volts Dual N-Channel(100mA,20V,雙N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管(SC-88/SOT-363 封裝)) |
中文描述: | 100 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
封裝: | SC-88, 6 PIN |
文件頁數(shù): | 1/4頁 |
文件大?。?/td> | 36K |
代理商: | NTUD01N02 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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NTY100N10 | Power MOSFET 123A, 100V N Channel Enhancement Mode TO264 Package(123A,100V雙功率MOSFET) |
NTZD3152P | Small Signal MOSFET 20V, 430mA, Dual P Channel with ESD Protection, SOT563(20V,430mA雙功率MOSFET) |
NTZD3154N | 20V,540mA,Dual N Channel Small Signal MOSFET(20V,540mA,雙N溝道小信號MOSFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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NTUD01N02/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Power MOSFET 100 mAmps, 20 Volts |
NTUD3127C | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal MOSFET 20 V, 200 mA / −180 mA, Complementary, 1.0 x 1.0 mm SOT−963 Package |
NTUD3127CT5G | 功能描述:MOSFET ZEN REG 0.5W 2.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
NTUD3128N | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal MOSFET 20 V, 200 mA, Dual N-Channel, 1.0 mm x 1.0 mm SOT-963 Package |
NTUD3128NT5G | 功能描述:MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |