型號(hào): | NTMS5P02R2 |
廠商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分類: | 小信號(hào)晶體管 |
英文描述: | Power MOSFET -5.4 Amps, -20 Volts P-Channel Enhancement Mode Single SO-8 Package(-5.4A, -20 V,單P通道,增強(qiáng)模式,SO-8封裝的功率MOSFET) |
中文描述: | 3950 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
封裝: | MINIATURE, CASE 751-07, SOIC-8 |
文件頁(yè)數(shù): | 1/8頁(yè) |
文件大?。?/td> | 78K |
代理商: | NTMS5P02R2 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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NTMS5P02R2_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET -5.4 Amps, -20 Volts |
NTMS5P02R2G | 功能描述:MOSFET -20V -5.4A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
NTMS5P02R2G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:P CHANNEL MOSFET -20V 5.4A SOIC |
NTMS5P02R2SG | 功能描述:MOSFET PFET 5.4A 20V 0.033R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |