參數(shù)資料
型號： NTGD3133P
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Power MOSFET(功率MOSFET)
中文描述： 功率MOSFET（功率MOSFET的）
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大小： 67K
代理商： NTGD3133P
NTGD3133P
http://onsemi.com
4
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
V
G
,
Q
G
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 7. GatetoSource and
DraintoSource Voltage versus Total Charge
I
D
= 2.2 A
T
J
= 25
°
C
1
10
100
1
10
100
t
r
t
d(off)
t
d(on)
t
f
V
DS
= 15 V
I
D
= 30 A
V
GS
= 4.5 V
Figure 8. Resistive Switching Time
Variation versus Gate Resistance
R
G
, GATE RESISTANCE ( )
t
0.01
0.1
1
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
Figure 9. Diode Forward Voltage versus
Current
V
SD
, SOURCETODRAIN VOLTAGE (V)
I
S
,
V
GS
= 0 V
T
J
= 150
°
C
T
J
= 25
°
C
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
100
R
DS(on)
Limit
Thermal Limit
Package Limit
100 s
1 ms
10 ms
dc
Figure 10. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
V
GS
= 4.5 V
Single Pulse
T
C
= 25
°
C
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Figure 11. Thermal Response
t, TIME (s)
r
(
,
T
0.2
SINGLE PULSE
D = 0.5
0.05
0.1
0.02
0.01
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PDF描述
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NTH06JAA3 Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I, Crimp; Body Material:Aluminum; Series:PT06; No. of Contacts:21; Connector Shell Size:22; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Straight Plug; Body Style:Straight
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