
NTE5400 thru NTE5406
Silicon Controlled Rectifier (SCR)
0.8 Amp Sensitive Gate
Description:
The NTE5400 through NTE5406 sensitive gate SCR semiconductors are halfwave unidirectional
gate controlled rectifiers (SCR–thyristor) rated at 0.8 amps RMS maximum on–state current, with
rated voltages up to 600 volts.
These devices feature 200 microamp gate sensitivity, 5 millamp holding current and 8 amp surge ca-
pabilities.
Available in a TO–92 plastic package, these devices feature excellent environmental stress and tem-
perature cycling characteristics and, coupled with their small size and electrical performance, lend
themselves to various types of control functions encountered with sensors, motors, lamps, relays,
counters, triggers, etc.
Absolute Maximum Ratings:
Repetitive Peak Reverse Voltage (T
C
= +100
°
C), V
RRM
NTE5400
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NTE5401
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NTE5402
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NTE5403
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NTE5404
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NTE5405
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NTE5406
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Repetitive Peak Off–State Voltage (T
C
= +100
°
C), V
DRXM
NTE5400
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NTE5401
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NTE5402
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NTE5403
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NTE5404
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NTE5405
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NTE5406
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RMS On–State Current, I
T(RMS)
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Peak Surge (Non–Repetitive) On–State Current (One Cycle at 50 or 60Hz), I
TSM
Peak Gate–Trigger Current (3
μ
s Max), I
GTM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak Gate–Power Dissipation (I
GT
≤
I
GTM
for 3
μ
s Max), P
GM
Average Gate Power Dissipation, P
G(AV)
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Temperature Range, T
opr
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Typical Thermal Resistance, Junction–to–Case, R
thJC
Typical Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R
thJA
30V
60V
100V
150V
200V
400V
600V
30V
60V
100V
150V
200V
400V
600V
0.8A
8A
500mA
20W
200mW
. . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
–40
°
to +100
°
C
–40
°
to +150
°
C
+5
°
C/W
+200
°
C/W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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