參數(shù)資料
型號(hào)： NTE5452
廠商： NTE Electronics, Inc.
英文描述： CAP TANT 3.3UF 4.0V 20% SMD
中文描述： 可控硅（晶閘管）4安培靈敏柵極
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大小： 25K
代理商： NTE5452
NTE5452 thru NTE5458
Silicon Controlled Rectifier (SCR)
4 Amp Sensitive Gate
Description:
The NTE5452 through NTE5458 are sensitive gate 4 Amp SCR’s in a TO202 type package designed
to be driven directly with IC and MOS devices. These reverse–blocking triode thyristors may be
switched from off–state to conduction by a current pulse applied to the gate terminal. They are de-
signed for control applications in lighting, heating, cooling, and static switching relays.
Absolute Maximum Ratings:
Repetitive Peak Reverse Voltage (T
C
= +100
°
C), V
RRM
NTE5452
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NTE5453
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NTE5454
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NTE5455
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NTE5456
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NTE5457
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NTE5458
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Repetitive Peak Off–State Voltage (T
C
= +100
°
C), V
DRXM
NTE5452
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NTE5453
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NTE5454
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NTE5455
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NTE5456
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NTE5457
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NTE5458
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RMS On–State Current, I
T(RMS)
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak Surge (Non–Repetitive) On–State Current (One Cycle at 50 or 60Hz), I
TSM
Peak Gate–Trigger Current (3
μ
s Max), I
GTM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak Gate–Power Dissipation (I
GT
≤
I
GTM
for 3
μ
s Max), P
GM
Average Gate Power Dissipation, P
G(AV)
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Temperature Range, T
opr
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Typical Thermal Resistance, Junction–to–Case, R
thJC
30V
50V
100V
200V
300V
400V
600V
30V
50V
100V
200V
300V
400V
600V
4A
20A
1A
20W
200mW
. . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
–40
°
to +100
°
C
–40
°
to +150
°
C
+5
°
C/W
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