參數(shù)資料
型號(hào)： NTE5428
廠商： NTE Electronics, Inc.
英文描述： Silicon Controlled Rectifier (SCR) 7 Amp
中文描述： 可控硅（晶閘管）7放大器
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大小： 18K
代理商： NTE5428
NTE5427 thru NTE5429
Silicon Controlled Rectifier (SCR)
7 Amp
Absolute Maximum Ratings:
Repetitive Peak Reverse Voltage (T
C
= +110
°
C), V
RRM
NTE5427
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5428
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5429
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Repetitive Peak Off–State Voltage (T
C
= +110
°
C), V
DRM
NTE5427
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5428
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5429
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
RMS On–State Current (T
C
= +80
°
C, Conduction Angle of 180
°
), I
T(RMS)
Peak Surge (Non–Repetitive) On–State Current (One Cycle at 50 or 60Hz), I
TSM
Peak Gate–Trigger Current (3
μ
s Max), I
GTM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak Gate–Power Dissipation (I
GT
≤
I
GTM
), P
GM
Average Gate Power Dissipation, P
G(AV)
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Temperature Range, T
opr
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Typical Thermal Resistance, Junction–to–Case, R
thJC
200V
400V
600V
200V
400V
600V
7A
80A
1A
20W
500mW
. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
–40
°
to +110
°
C
–40
°
to +150
°
C
2.5
°
C/W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Electrical Characteristics:
(T
C
= +25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
I
RRM
I
DRM
Maximum On–State Voltage
V
TM
DC Holding Current
I
HOLD
DC Gate–Trigger Current
DC Gate–Trigger Voltage
V
GT
Gate Controlled Turn–On Time
I
2
t for Fusing Reference
Critical Rate of Off–State Voltage
dv/dt
(critical)
Test Conditions
Min
–
–
–
–
–
–
–
–
–
Typ
–
–
–
–
–
–
2
–
100
Max
1
1
2
50
25
1.5
–
2.6
–
Unit
mA
mA
V
mA
mA
V
μ
s
A
2
sec
V/
μ
s
Peak Off–State Current
V
RRM
= Max, V
DRM
= Max,
T
C
= +110
°
C, R
GK
= 1k
I
T
= 7A
I
GT
V
D
= 6VDC, R
L
= 100
V
D
= 6VDC, R
L
= 100
I
G
x 3
GT
For SCR Protection
Gate Open, T
C
= +100
°
C
t
gt
I
2
t
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