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參數(shù)資料
| 型號： | NTE454 |
| 廠商： | NTE Electronics, Inc. |
| 英文描述： | MOSFET, N-Ch, Dual Gate, TV UHF/RF Amp, Gate Protected |
| 中文描述： | MOSFET的N溝道，雙門，電視超高頻/射頻放大器，門保護 |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 26K |
| 代理商： | NTE454 |
2
3
1
4
Gate 2
Gate 1
Source
Drain
NTE454
MOSFET, N–Ch, Dual Gate,
TV UHF/RF Amp, Gate Protected
Description:
The NTE454 is a depletion mode dual gate MOSFET transistor designed for VHF amplifier and mixer
applications.
Features:
Low Reverse Transfer Capacitance – C
rss
= 0.03pf (Max)
High Forward Transfer Admittance – |y
fe
|
= 0–20 mmhos
Diode Protected Gates
Absolute Maximum Ratings:
Drain Source Voltage, V
DSX
Drain–Gate Voltage, V
DG1
20Vdc
30Vdc
30Vdc
±
10mAdc
±
10mAdc
60mAdc
360mW
2.4mW/
°
C
1.2Watt
8.0mW/
°
C
–65 to +200
°
C
–65 to +175
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Drain Current–Continuous, I
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Total Power Dissipation (T
A
= +25
°
C), P
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Derate above 25
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Total Power Dissipation (T
C
= +25
°
C), P
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Derate above 25
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Channel Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Junction Temperature Range, T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Lead Temperature, 1/16” from Seated Surface for 10 Seconds, T
L
V
DG2
Gate Current, I
G1
I
G2
300
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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