參數(shù)資料
型號(hào)： NTE451
廠商： NTE Electronics, Inc.
英文描述： Silicon N-Channel JFET Transistor VHF/UHF Amplifier
中文描述： 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管高頻/超高頻放大器
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大小： 23K
代理商： NTE451
NTE451
Silicon N–Channel JFET Transistor
VHF/UHF Amplifier
Absolute Maximum Ratings:
Drain–Gate Voltage, V
DG
Reverse Gate–Source Voltage, V
GSR
Drain Current, I
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Total Device Dissipation (T
C
= +25
°
C), P
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Derate Above 25
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Junction Temperature Range, T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
25V
25V
30mA
350mW
2.8mW/
°
C
–65
°
to +150
°
C
–65
°
to +150
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Electrical Characteristics:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
OFF Characteristics
Gate–Source Breakdown Voltage
V
(BR)GSS
I
G
= –1
μ
A, V
DS
= 0
I
GSS
V
GS
= –20V, V
DS
= 0
V
GS
= –20V, V
DS
= 0, T
A
= +100
°
C
V
GS(off)
I
D
= 10nA, V
DS
= 15V
–25
–
–
V
Gate Reverse Current
–
–
–1.0
nA
–
–
–0.2
nA
Gate–Source Cutoff Voltage
–0.5
–
–4.0
V
ON Characteristics
Zero–Gate–Voltage Drain Current
I
DSS
V
DS
= 15V, V
GS
= 0
4
–
20
mA
Small Signal Characteristics Characteristics
Forward Transfer Admittance
|y
fs
|
Re(y
is
)
|y
os
|
Re(y
os
)
g
fs
C
iss
C
rss
C
oss
V
DS
= 15V, V
GS
= 0, f = 1kHz
V
DS
= 15V, V
GS
= 0, f = 400MHz
V
DS
= 15V, V
GS
= 0, f = 1kHz
V
DS
= 15V, V
GS
= 0, f = 400MHz
V
DS
= 15V, V
GS
= 0, f = 400MHz
V
DS
= 15V, V
GS
= 0, f = 1MHz
V
DS
= 15V, V
GS
= 0, f = 1MHz
V
DS
= 15V, V
GS
= 0, f = 1MHz
3500
–
7000
μ
mho
μ
mho
μ
mho
μ
mho
μ
mho
pF
Input Admittance
–
–
1000
Output Admittance
–
–
60
Output Conductance
–
–
100
Forward Transconductance
3000
–
–
Input Capacitance
–
–
5
Reverse Transfer Capacitance
–
–
1
pF
Output Capacitance
–
–
2
pF
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