參數(shù)資料
型號(hào)： NTE2954
廠(chǎng)商： NTE Electronics, Inc.
英文描述： Dual Channel, 2/0, 5Mbps Digital Isolator 8-SOIC -40 to 125
中文描述： MOSFET的N溝道，增強(qiáng)模式高速開(kāi)關(guān)
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 22K
代理商： NTE2954
NTE2954
MOSFET
N–Channel, Enhancement Mode
High Speed Switch
Applications:
Motor Control
Lamp Control
Solenoid Control
DC–DC Converter
Absolute Maximum Ratings:
(T
C
= +25
°
C unless otherwise specified)
Drain–Source Voltage (V
GS
= 0V), V
DSS
Gate–Source Voltage (V
DS
= 0V), V
GS
Drain Current, I
D
Continuous
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Pulsed
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Avalanche Drain Current (Pulsed, L = 100
μ
H), I
DA
Source Current, I
S
Continuous
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Pulsed
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Power Dissipation, P
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Channel Temperature Range, T
ch
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Thermal Resistance, Channel–to–Case, R
th(ch–c)
Isolation Voltage (AC for 1 minute, Terminal–to–Case), V
ISO
100V
±
20V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
70A
280A
70A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
70A
280A
35W
–55
°
to +150
°
C
–55
°
to +150
°
C
3.57
°
C/W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2000V
Electrical Characteristics:
(T
ch
= +25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Drain–Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
I
GSS
I
DSS
V
GS(th)
R
DS(on)
V
DS
= 0V, I
D
= 1mA
V
GS
=
±
20V, V
DS
= 0V
V
DS
= 100V, V
GS
= 0
V
DS
= 10V, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 35A
V
GS
= 4V, I
D
= 35A
V
GS
= 10V, I
D
= 35A
V
GS
= 10V, I
D
= 35A
100
–
–
V
μ
A
mA
Gate–Source Leakage
–
–
±
0.1
0.1
Zero Gate Voltage Drain Current
–
–
Gate Threshold Voltage
1.0
1.5
2.0
V
Static Drain–Source ON Resistance
–
13
17
m
m
V
–
14
18
Drain–Source On–State Voltage
V
DS(on)
|y
fs
|
–
0.46
0.60
Forward Transfer Admittance
–
68
–
S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NTE2955 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
NTE2956 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
NTE2957 Dual Channel, 2/0, 25Mbps Digital Isolator 8-SOIC -40 to 125
NTE2958 Dual Channel, 2/0, 25Mbps Digital Isolator 8-SOIC -40 to 125
NTE2959 Dual Channel, 2/0, 25Mbps Digital Isolator 8-SOIC -40 to 125
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NTE2955 制造商:NTE 制造商全稱(chēng):NTE Electronics 功能描述:MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE2956 制造商:NTE 制造商全稱(chēng):NTE Electronics 功能描述:MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE2957 制造商:NTE Electronics 功能描述:NTE Mosfet N-Chan Enhan
NTE2958 制造商:NTE 制造商全稱(chēng):NTE Electronics 功能描述:MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE2959 制造商:NTE Electronics 功能描述:MOSFET-N-CHAN-ENHANCEMENT 制造商:NTE Electronics 功能描述:Trans MOSFET N-CH 900V 5A 3-Pin(3+Tab)
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