參數(shù)資料
型號(hào)： NTE2957
廠商： NTE Electronics, Inc.
英文描述： Dual Channel, 2/0, 25Mbps Digital Isolator 8-SOIC -40 to 125
中文描述： MOSFET的N溝道，增強(qiáng)模式高速開關(guān)
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 21K
代理商： NTE2957
NTE2957
MOSFET
N–Channel, Enhancement Mode
High Speed Switch
Applications:
SMPS
DC–DC Converter
Battery Charger
Power Supply of Printer
Copier
HDD, FDD, TV, VCR
Personal Computer
Absolute Maximum Ratings:
(T
C
= +25
°
C unless otherwise specified)
Drain–Source Voltage (V
GS
= 0V), V
DSS
Gate–Source Voltage (V
DS
= 0V), V
GS
Drain Current, I
D
Continuous
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Pulsed
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Power Dissipation, P
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Channel Temperature Range, T
ch
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Thermal Resistance, Channel–to–Case, R
th(ch–c)
Isolation Voltage, V
ISO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
700V
±
30V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5A
15A
30W
–55
°
to +150
°
C
–55
°
to +150
°
C
4.17
°
C/W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2000V
Electrical Characteristics:
(T
ch
= +25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Drain–Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
V
(BR)GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS(th)
R
DS(on)
V
DS(on)
|y
fs
|
V
DS
= 0V, I
D
= 1mA
V
DS
= 0V, I
G
=
±
100
μ
A
V
GS
=
±
25V, V
DS
= 0V
V
DS
= 700V, V
GS
= 0
V
DS
= 10V, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 2A
V
GS
= 10V, I
D
= 2A
V
GS
= 10V, I
D
= 2A
700
±
30
–
–
–
V
Gate–Source Breakdown Voltage
–
–
V
μ
A
mA
Gate–Source Leakage
–
±
10
1.0
Zero Gate Voltage Drain Current
–
–
Gate Threshold Voltage
2.0
3.0
4.0
V
V
Static Drain–Source ON Resistance
–
2.0
2.6
Drain–Source On–State Voltage
–
4.0
5.2
Forward Transfer Admittance
2.5
4.2
–
S
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PDF描述
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