參數(shù)資料
型號(hào)： NTE2956
廠商： NTE Electronics, Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 30V的N溝道的PowerTrench MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 22K
代理商： NTE2956
NTE2956
MOSFET
N–Channel, Enhancement Mode
High Speed Switch
Applications:
Servo Motor Drive
Robot
UPS
Inverter
Fluorescent Lamp
Absolute Maximum Ratings:
(T
C
= +25
°
C unless otherwise specified)
Drain–Source Voltage (V
GS
= 0V), V
DSS
Gate–Source Voltage (V
DS
= 0V), V
GS
Drain Current, I
D
Continuous
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Pulsed
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Source Current, I
S
Continuous
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Pulsed
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Power Dissipation, P
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Channel Temperature Range, T
ch
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Thermal Resistance, Channel–to–Case, R
th(ch–c)
Isolation Voltage, V
ISO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
300V
±
30V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
14A
42A
14A
42A
40W
–55
°
to +150
°
C
–55
°
to +150
°
C
3.13
°
C/W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2000V
Electrical Characteristics:
(T
ch
= +25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Drain–Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
V
(BR)GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS(th)
R
DS(on)
V
DS(on)
|y
fs
|
V
DS
= 0V, I
D
= 1mA
V
DS
= 0V, I
G
=
±
100
μ
A
V
GS
=
±
25V, V
DS
= 0V
V
DS
= 500V, V
GS
= 0
V
DS
= 10V, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 7A
V
GS
= 10V, I
D
= 7A
V
GS
= 10V, I
D
= 7A
500
±
30
–
–
–
V
Gate–Source Breakdown Voltage
–
–
V
μ
A
mA
Gate–Source Leakage
–
±
10
1.0
Zero Gate Voltage Drain Current
–
–
Gate Threshold Voltage
2.0
3.0
4.0
V
V
Static Drain–Source ON Resistance
–
0.63
0.80
Drain–Source On–State Voltage
–
4.41
5.60
Forward Transfer Admittance
4.5
7.0
–
S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NTE2957 Dual Channel, 2/0, 25Mbps Digital Isolator 8-SOIC -40 to 125
NTE2958 Dual Channel, 2/0, 25Mbps Digital Isolator 8-SOIC -40 to 125
NTE2959 Dual Channel, 2/0, 25Mbps Digital Isolator 8-SOIC -40 to 125
NTE295 Silicon NPN Transistor RF Power Output, Driver
NTE2960 Dual Channel, 2/0, 150Mbps Digital Isolator 8-SOIC -40 to 125
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NTE2957 制造商:NTE Electronics 功能描述:NTE Mosfet N-Chan Enhan
NTE2958 制造商:NTE 制造商全稱:NTE Electronics 功能描述:MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE2959 制造商:NTE Electronics 功能描述:MOSFET-N-CHAN-ENHANCEMENT 制造商:NTE Electronics 功能描述:Trans MOSFET N-CH 900V 5A 3-Pin(3+Tab)
NTE296 制造商:NTE 制造商全稱:NTE Electronics 功能描述:Silicon PNP Transistor General Purpose Amplifier
NTE2960 制造商:NTE Electronics 功能描述:Trans MOSFET N-CH 900V 7A 3-Pin(3+Tab)
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*