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參數(shù)資料
| 型號： | NTE2955 |
| 廠商： | NTE Electronics, Inc. |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 30V的N溝道的PowerTrench MOSFET的 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 21K |
| 代理商： | NTE2955 |
NTE2955
MOSFET
N–Channel, Enhancement Mode
High Speed Switch
Application:
C
S
Switch for CRT Display Monitor
Absolute Maximum Ratings:
(T
C
= +25
°
C unless otherwise specified)
Drain–Source Voltage (V
GS
= 0V), V
DSS
Gate–Source Voltage (V
DS
= 0V), V
GS
Drain Current, I
D
Continuous
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Pulsed
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Avalanche Drain Current (Pulsed, L = 200
μ
H), I
DA
Maximum Power Dissipation, P
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Channel Temperature Range, T
ch
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Thermal Resistance, Channel–to–Case, R
th(ch–c)
Isolation Voltage (AC for 1 minute, Terminal–to–Case), V
ISO
250V
±
20V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
10A
30A
10A
32W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
–55
°
to +150
°
C
–55
°
to +150
°
C
3.91
°
C/W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2000V
Electrical Characteristics:
(T
ch
= +25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Drain–Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
I
GSS
I
DSS
V
GS(th)
R
DS(on)
V
DS(on)
|y
fs
|
V
DS
= 0V, I
D
= 1mA
V
GS
=
±
20V, V
DS
= 0V
V
DS
= 250V, V
GS
= 0
V
DS
= 10V, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 5A
V
GS
= 10V, I
D
= 5A
V
GS
= 10V, I
D
= 5A
250
–
–
V
μ
A
mA
Gate–Source Leakage
–
–
±
10
1.0
Zero Gate Voltage Drain Current
–
–
Gate Threshold Voltage
2.0
3.0
4.0
V
V
Static Drain–Source ON Resistance
–
0.40
0.52
Drain–Source On–State Voltage
–
2.0
2.6
Forward Transfer Admittance
–
9.0
–
S
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTE2956 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| NTE2957 | Dual Channel, 2/0, 25Mbps Digital Isolator 8-SOIC -40 to 125 |
| NTE2958 | Dual Channel, 2/0, 25Mbps Digital Isolator 8-SOIC -40 to 125 |
| NTE2959 | Dual Channel, 2/0, 25Mbps Digital Isolator 8-SOIC -40 to 125 |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| NTE2957 | 制造商:NTE Electronics 功能描述:NTE Mosfet N-Chan Enhan |
| NTE2958 | 制造商:NTE 制造商全稱:NTE Electronics 功能描述:MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch |
| NTE2959 | 制造商:NTE Electronics 功能描述:MOSFET-N-CHAN-ENHANCEMENT 制造商:NTE Electronics 功能描述:Trans MOSFET N-CH 900V 5A 3-Pin(3+Tab) |
| NTE296 | 制造商:NTE 制造商全稱:NTE Electronics 功能描述:Silicon PNP Transistor General Purpose Amplifier |
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