參數(shù)資料
型號(hào)： NTE2515
廠商： NTE Electronics, Inc.
英文描述： Silicon Complementary Transistors High Current Switch
中文描述： 硅晶體管互補(bǔ)大電流開關(guān)
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大小： 22K
代理商： NTE2515
Electrical Characteristics (Cont’d):
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Output Capacitance
NTE2515
NTE2516
Collector Emitter Saturation Voltage
NTE2515
NTE2516
Base Emitter Saturation Voltage
V
BE(sat)
Collector Base Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
Collector Emitter Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
I
C
= 1mA, R
BE
=
∞
Emitter Base Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
Turn
–
On Time
Storage Time
NTE2515
NTE2516
Fall Time
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
C
ob
V
CB
= 10V, f = 1MHz
–
–
40
65
–
–
pF
pF
V
CE(sat)
I
C
= 2A, I
B
= 200mA
–
–
–
150
200
0.9
–
–
–
100
400
500
1.2
–
–
–
–
mV
mV
V
V
V
V
ns
I
C
= 2A, I
B
= 200mA
120
100
6
–
t
on
t
stg
V
CC
= 25V, V
BE
=
–
5V,
10I
B1
=
–
10I
B2
= I
C
= 2A,
Pulse Width = 20
μ
s,
Duty Cycle
≤
1%, Note 1
–
–
–
900
800
50
–
–
–
ns
ns
ns
t
f
Note 1. For NTE2514, the polarity is reversed.
.315 (8.0)
.094 (2.4)
.433
(11.0)
.610
(15.5)
.106 (2.7)
E
C
B
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PDF描述
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