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參數(shù)資料
| 型號： | NTE2515 |
| 廠商： | NTE Electronics, Inc. |
| 英文描述： | Silicon Complementary Transistors High Current Switch |
| 中文描述： | 硅晶體管互補(bǔ)大電流開關(guān) |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 22K |
| 代理商： | NTE2515 |
NTE2515 (NPN) & NTE2516 (PNP)
Silicon Complementary Transistors
High Current Switch
Features:
Low Collector Emitter Saturation Voltage
High Gain–Bandwidth Product
Excellent Linearity of h
FE
Fast Switching Time
Applications:
Display Drivers
High Speed Inverters
Converters
Absolute Maximum Ratings:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Collector Base Voltage, V
CBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector Emitter Voltage, V
CEO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Emitter Base Voltage, V
EBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector Current, I
C
Continuous
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector Power Dissipation, P
C
T
A
= +25
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
T
C
= +25
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Junction Temperature, T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
120V
100V
6V
4A
8A
1.2W
20W
+150
°
C
–55
°
to +150
°
C
Electrical Characteristics:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Symbol
I
CBO
I
EBO
h
FE
Test Conditions
V
CB
= 100V, I
E
= 0
V
EB
= 4V, I
C
= 0
V
CE
= 5V, I
C
= 500mA
V
CE
= 5V, I
C
= 3A
Min
–
–
140
40
Typ
–
–
–
–
Max
1.0
1.0
240
–
Unit
μ
A
μ
A
Gain–Bandwidth Product
NTE2515
NTE2516
f
T
V
CE
= 10V, I
C
= 500mA
–
–
180
130
–
–
MHz
MHz
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTE2517 | Silicon Complementary Transistors High Current Switch |
| NTE2519 | Silicon Complementary Transistors High Voltage Driver |
| NTE251 | Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amplifier |
| NTE2521 | Silicon NPN Transistor Video Output for HDTV |
| NTE2522 | Silicon Complementary Transistors High Speed Switch |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NTE2516 | 制造商:NTE 制造商全稱:NTE Electronics 功能描述:Silicon Complementary Transistors High Current Switch |
| NTE2517 | 制造商:NTE Electronics 功能描述:TRANSISTOR NPN SILICON 60V IC=2.5A TO-126ML CASE TF=30NS HIGH CURRENT SWITCH COM 制造商:NTE Electronics 功能描述:T-NPN-SI HI CURRENT SW 制造商:NTE Electronics 功能描述:Trans GP BJT NPN 50V 5A 3-Pin(3+Tab) |
| NTE2518 | 制造商:NTE Electronics 功能描述:T-PNP-SI HI CURRENT SW 制造商:NTE Electronics 功能描述:TO-126ML PNP HI-CURR 制造商:NTE Electronics 功能描述:Trans GP BJT PNP 50V 5A 3-Pin(3+Tab) |
| NTE2519 | 制造商:NTE Electronics 功能描述:T-NPN-SI HI VLTG DR 制造商:NTE Electronics 功能描述:TO-126ML NPN HI-V DR 制造商:NTE Electronics 功能描述:Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 3-Pin |
| NTE252 | 制造商:NTE Electronics 功能描述:TRANSISTOR PNP SILICON DARLINGTON 100V IC=20A TO-3 CASE POWER AMP COMP'L TO NTE2 制造商:NTE Electronics 功能描述:DARLINGTON TRANSISTOR PNP -100V 制造商:NTE Electronics 功能描述:T-PNP- DARL 100 V-HFE2400 制造商:NTE Electronics 功能描述:DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -100V; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-100V; Power Dissipation Pd:160W; DC Collector Current:-20A; DC Current Gain hFE:4000; Operating Temperature Min:-65C; No. of Pins:2 ;RoHS Compliant: Yes 制造商:NTE Electronics 功能描述:Trans Darlington PNP 100V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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