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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NTE251 |
| 廠商： | NTE Electronics, Inc. |
| 英文描述： | Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amplifier |
| 中文描述： | 硅達(dá)林頓晶體管互補(bǔ)功率放大器 |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 26K |
| 代理商： | NTE251 |
NTE251 (NPN) & NTE252 (PNP)
Silicon Complementary Transistors
Darlington Power Amplifier
Description:
The NTE251 (NPN) and NTE252 (PNP) are silicon complementary Darlington transistors in a TO3
type case designed for general–purpose amplifier and low–frequency switching applications.
Features:
High DC Current Gain @ I
C
= 10A:
h
FE
= 2400 Typ (NTE251)
h
FE
= 4000 Typ (NTE252)
Collector–Emitter Sustaining Voltage: V
CEO(sus)
= 100V Min
Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt Resistors
Absolute Maximum Ratings:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Collector–Emitter Voltage, V
CEO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector–Base Voltage, V
CB
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Emitter–Base Voltage, V
EB
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector Current, I
C
Continuous
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Base Current, I
B
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Total Power Dissipation (T
C
= +25
°
C), P
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Derate Above 25
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Junction Temperature Range, T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Thermal Resistance, Junction–to–Case, R
thJC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
100V
100V
5V
20A
40A
500mA
160W
0.915W/
°
C
–65
°
to +200
°
C
–65
°
to +200
°
C
1.09
°
C/W
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PDF描述 |
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