參數(shù)資料
型號： NTE2412
廠商： NTE Electronics, Inc.
英文描述： Silicon NPN Transistor General Purpose, High Voltage Amp, (Compl to NTE2413)
中文描述： 硅NPN晶體管通用，高電壓放大器，（并發(fā)癥的NTE2413）
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大小： 19K
代理商： NTE2412
NTE2412
Silicon NPN Transistor
General Purpose, High Voltage Amp,
(Compl to NTE2413)
Description:
The NTE2412 is a silicon NPN transistor in an SOT–23 type surface mount package designed for use
primarily in telephone and professional communication equipment.
Absolute Maximum Ratings:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Collector–Base Voltage, V
CBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector–Emitter Voltage, V
CEO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Emitter–Base Voltage, V
EBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector Current, I
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector Power Dissipation, P
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Junction Temperature, T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
300V
300V
5V
100mA
200mW
+150
°
C
–55
°
to +150
°
C
Electrical Characteristics:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Collector–Base Breakdown Voltage
Collector–Emitter Breakdown Voltage V
(BR)CEO
I
C
= 100
μ
A
Emitter–Base Breakdown Voltage
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
Collector–Emitter Saturation Voltage
DC Current Gain
Transition Frequency
Symbol
V
(BR)CBO
I
C
= 50
μ
A
Test Conditions
Min
300
300
5
–
–
–
56
50
Typ
–
–
–
–
–
–
–
100
Max
–
–
–
0.5
0.5
2.0
120
–
Unit
V
V
V
μ
A
μ
A
V
V
(BR)EBO
I
E
= 50
μ
A
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
h
FE
f
T
V
CB
= 200V
V
EB
= 4V
I
C
= 50mA, I
B
= 5mA
V
CE
= 10V, I
C
= 10mA
V
CE
= 30V, I
E
= 10mA,
f = 100MHz
V
CB
= 30V, I
E
= 0, f = 1MHz
MHz
Capacitance
C
ob
–
3
–
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NTE2413 Silicon PNP Transistor General Purpose, High Voltage Amp, (Compl to NTE2412)
NTE2414 Silicon Complementary Transistors Digital w/2 Built-In Bias 10k Resistors (Surface Mount)
NTE2416 Silicon Complementary Transistors High Current General Purpose Amp/Switch
NTE106 Silicon PNP Transistor Switching Transistor
NTE2418 Silicon Complementary Transistors Digital w/2 Built-In Bias 47k Resistors (Surface Mount)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NTE2413 制造商:NTE Electronics 功能描述:T-PNP-SI HI VLTG AMP 制造商:NTE Electronics 功能描述:SOT-23 PNP GP HI-V
NTE2414 制造商:NTE Electronics 功能描述:T-NPN-SI WITH 10K RES
NTE2415 制造商:NTE Electronics 功能描述:TRANSISTOR PNP SILICON 50V IC=0.1A SOT-23 CASE DIGITAL TRANSISTOR W/2 10K RESIST 制造商:NTE Electronics 功能描述:T-PNP-SI WITH 10K RES 制造商:NTE Electronics 功能描述:SOT-23 PNP DIGITAL
NTE2416 制造商:NTE Electronics 功能描述:T-NPN-SI WITH 22K RES 制造商:NTE Electronics 功能描述:SOT-23 NPN DIGITAL 制造商:NTE Electronics 功能描述:Trans Digital BJT NPN 50V 200mA 3-Pin SOT-23
NTE2417 制造商:NTE Electronics 功能描述:T-PNP-SI WITH 22K RES 制造商:NTE Electronics 功能描述:SOT-23 PNP DIGITAL
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