參數(shù)資料
型號(hào)： NTE106
廠商： NTE Electronics, Inc.
英文描述： Silicon PNP Transistor Switching Transistor
中文描述： 硅PNP晶體管開關(guān)晶體管
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大小： 24K
代理商： NTE106
NTE2416 (NPN) & NTE2417 (PNP)
Silicon Complementary Transistors
Digital
w
/2 Built–In Bias 22k Resistors
(Surface Mount)
Features:
Built–In Bias Resistors
Small SOT–23 Surface Mount Package
Applications:
Switching Circuits
Inverters
Interface Circuits
Driver
Absolute Maximum Ratings:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Collector–Base Voltage, V
CBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector–Emitter Voltage, V
CEO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Emitter–Base Voltage, V
EBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector Current, I
C
Continuous
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector Dissipation, P
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Junction Temperature, T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
50V
50V
10V
100mA
200mA
200mW
+150
°
C
–55
°
to +150
°
C
Electrical Characteristics:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Collector Cutoff Current
Symbol
I
CBO
I
CEO
I
EBO
h
FE
V
(BR)CBO
I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
V
(BR)CBO
I
C
= 100
μ
A, R
BE
=
∞
V
CE(sat)
I
C
= 10mA, I
B
= 0.5mA
f
T
V
CE
= 10V, I
C
= 5mA
Test Conditions
V
CB
= 40V, I
E
= 0
V
CE
= 40V, I
B
= 0
V
EB
= 5V, I
C
= 0
V
CE
= 5V, I
C
= 10mA
Min
–
–
70
50
50
50
–
Typ
–
–
113
–
–
–
0.1
Max
0.1
0.5
150
–
–
–
0.3
Unit
μ
A
μ
A
μ
A
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Collector–Base Breakdown Voltage
Collector–Emitter Breakdown Voltage
Collector–Emitter Saturation Voltage
Current Gain–Bandwidth Product
NTE2416
NTE2417
V
V
V
–
–
250
200
–
–
MHz
MHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NTE2418 Silicon Complementary Transistors Digital w/2 Built-In Bias 47k Resistors (Surface Mount)
NTE241 Silicon Complementary Transistors Audio Power Amplifier, Switch
NTE2426 Quad Differential Comparator 14-CDIP -55 to 125
NTE2430 Silicon NPN Transistor High Voltage Amp/Switch (Compl to NTE2431)
NTE2431 Silicon PNP Transistor High Voltage Amp/Switch (Compl to NTE2430)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NTE1060 制造商:NTE Electronics 功能描述:IC-AM RF AMP/MXR/OSC 制造商:NTE Electronics 功能描述:DIP-16 AM-RF AMP/MIX 制造商:NTE Electronics 功能描述:AM/FM Radio 16-Pin PDIP
NTE1061 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Analog IC
NTE1062 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Analog IC
NTE1064 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Analog IC
NTE107 制造商:NTE Electronics 功能描述:TRANSISTOR NPN SILICON 30V IC=0.05A TO-92 UHF OSCILLATOR FOR TUNER 制造商:NTE Electronics 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR NPN 12V TO-92 制造商:NTE Electronics 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 12V, TO-92 制造商:NTE Electronics 功能描述:T-NPN- SI-RF/IF AMP 制造商:NTE Electronics 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 12V, TO-92; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:12V; Transition Frequency Typ ft:2.1GHz; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:25mA; DC Current Gain hFE:75; No. of Pins:3 制造商:NTE Electronics 功能描述:Trans GP BJT NPN 12V 0.025A 3-Pin TO-92
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*