參數(shù)資料
型號(hào)： NTE2325
廠商： NTE Electronics, Inc.
英文描述： Silicon NPN Transistor High Voltage Switch
中文描述： 硅NPN晶體管高壓開(kāi)關(guān)
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大小： 23K
代理商： NTE2325
NTE2325
Silicon NPN Transistor
High Voltage Switch
Features:
High Reverse Voltage: V
CBO
= 900V (Max)
High Speed Switching: t
f
= 0.7
μ
s (Max)
Absolute Maximum Ratings:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Collector–Base Voltage, V
CBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector–Emitter Voltage, V
CEO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Emitter–Base Voltage, V
EBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector Current, I
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak Collector Current (Note 1), i
cp
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Base Current, I
B
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector Power Dissipation (T
C
= +25
°
C), P
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Junction Temperature, T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Note 1. Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
10%
900V
800V
7V
3A
10A
1.5A
50W
+150
°
C
–55
°
to +150
°
C
Electrical Characteristics:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
OFF Characteristics
Collector–Base Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
EBO
V
CEO(sus)
V
CEX(sus)1
I
C
= 1A, I
B1
= 200mA, I
B2
= –200mA,
L = 2mH, Clamped
V
CEX(sus)2
I
C
= 500mA, I
B1
= 100mA, I
B2
= –100mA,
L = 5mH, Clamped
I
C
= 1mA, I
E
= 0
I
C
= 5mA, R
BE
=
∞
I
E
= 1mA, I
C
= 0
V
CB
= 800V, I
E
= 0
V
EB
= 5V, I
C
= 0
I
C
= 3A, L = 500
μ
H, I
B
= 1A
900
–
–
V
Collector–Emitter Breakdown Voltage
800
–
–
V
Emitter–Base Breakdown Voltage
7
–
–
V
μ
A
μ
A
V
Collector Cutoff Current
–
–
10
Emitter Cutoff Current
–
–
10
Collector–Emitter Sustaining Voltage
800
–
–
800
–
–
V
900
–
–
V
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