參數(shù)資料
型號(hào)： NTE2302
廠商： NTE Electronics, Inc.
英文描述： Silicon NPN Transistor Color TV Horizontal Deflection Output w/Damper Diode
中文描述： 硅NPN晶體管彩色電視水平偏轉(zhuǎn)輸出w /阻尼二極管
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大小： 21K
代理商： NTE2302
NTE2302
Silicon NPN Transistor
Color TV Horizontal Deflection Output
w
/Damper Diode
Features:
High Breakdown Voltage and High Reliability
High Switching Speed
Capable of Being Mounted in a Variety of Methods
Absolute Maximum Ratings:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Collector–Base Voltage, V
CBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector–Emitter Voltage, V
CEO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Emitter–Base Voltage, V
EBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector Current, I
C
Continuous
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector Dissipation (T
C
= +25
°
C), P
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Junction Temperature, T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1500V
800V
7V
5A
16A
120W
+150
°
C
–55
°
to +150
°
C
Electrical Characteristics:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
μ
A
mA
Collector Cutoff Current
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
V
CE(sat)
V
BE(sat)
V
(BR)CBO
V
(BR)CBO
V
(BR)EBO
V
F
t
f
V
CB
= 800V, I
E
= 0
V
EB
= 4V, I
C
= 0
V
CE
= 5V, I
C
= 1A
V
CE
= 10V, I
C
= 1A
I
C
= 4A, I
B
= 0.8A
I
C
= 4A, I
B
= 0.8A
I
C
= 5mA, I
E
= 0
I
C
= 100mA, R
BE
=
∞
I
E
= 200mA, I
C
= 0
I
EC
= 5A
V
CC
= 200V, I
C
= 4A, I
B1
= 0.8A,
I
B2
= –1.6A, R
L
= 50
–
–
10
Emitter Cutoff Current
40
–
130
DC Current Gain
8
–
–
Current Gain–Bandwidth Product
–
3
–
MHz
Collector–Emitter Saturation Voltage
–
–
5.0
V
Base–Emitter Saturation Voltage
–
–
1.5
V
Collector–Base Breakdown Voltage
1500
–
–
V
Collector–Emitter Breakdown Voltage
800
–
–
V
Emitter–Base Breakdown Voltage
7
–
–
V
Diode Forward Voltage
–
–
2
V
μ
s
Fall Time
–
–
0.7
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