參數(shù)資料
型號： NTD3055-094
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： Power MOSFET 12Amps, 60Volts N-Channel DPAK(12A, 60V，N通道，DPAK封裝的功率MOSFET)
中文描述： 12 A, 60 V, 0.094 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： LEAD FREE, CASE 369C-01, DPAK-3
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大?。?/td> 76K
代理商： NTD3055-094
NTD3055094
http://onsemi.com
6
SAFE OPERATING AREA
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
T
J
, STARTING JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
EA
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
0.1
1
100
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 13. Thermal Response
1
100
A
I
R
DS(on)
LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
0.1
0
25
50
75
100
125
10
I
D
= 11 A
10
10
175
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
di/dt
t
rr
t
a
t
p
I
S
0.25 I
S
TIME
I
S
t
b
30
70
V
GS
= 20 V
SINGLE PULSE
T
C
= 25
°
C
1 ms
100 s
10 ms
dc
10 s
150
50
r
(
t, TIME ( s)
0.1
1.0
0.01
1
10
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.00001
20
40
60
0.2
D = 0.5
0.1
R
JC
(t) = r(t) R
JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t
1
T
J(pk)
T
C
= P
(pk)
R
JC
(t)
P
(pk)
t
1
t
2
DUTY CYCLE, D = t
1
/t
2
0.05
0.01
SINGLE PULSE
0.02
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PDF描述
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NTD3055-094G 功能描述:MOSFET 60V 12A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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