參數(shù)資料
型號： NTD2955T4
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： Power MOSFET
中文描述： 12 A, 60 V, 0.18 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： CASE 369C-01, DPAK-3
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 64K
代理商： NTD2955T4
NTD2955
http://onsemi.com
4
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. GateToSource and DrainToSource
Voltage versus Total Charge
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation versus Gate Resistance
R
G
, GATE RESISTANCE ( )
1
10
100
t
V
DD
= 30 V
I
D
= 12 A
V
GS
= 10 V
T
J
= 25
°
C
t
f
t
r
t
d(off)
0
Q
T
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
2
4
6
8
I
D
= 12 A
T
J
= 25
°
C
V
GS
1000
100
10
1
15
10
0
2.5
5
60
50
40
30
0
V
DS
14
Q
T
Q
GS
Q
GD
16
10
12
t
d(on)
12.5
7.5
20
0
0.25
V
SD
, SOURCETODRAIN VOLTAGE (V)
0.75
1.75
V
GS
= 0 V
T
J
= 25
°
C
0
10
15
5
0.5
1
1.25
1.5
10
10
0
10
15
25
GATETOSOURCE OR DRAINTOSOURCE VOLTAGE (V)
C
V
GS
V
DS
T
J
= 25
°
C
V
DS
= 0 V
V
GS
= 0 V
1000
800
600
400
200
0
20
C
iss
C
oss
C
rss
5
5
C
iss
C
rss
1200
Figure 10. Diode Forward Voltage versus Current
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (V)
V
GS
= 15 V
SINGLE PULSE
T
C
= 25
°
C
dc
100 s
1 ms
10 ms
R
DS(on)
LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
Figure 12. Diode Reverse Recovery Waveform
di/dt
t
rr
t
a
t
p
I
S
0.25 I
S
TIME
I
S
t
b
D
,
G
,
S
,
D
,
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NTD2955T4G Power MOSFET
NTD3055-094 Power MOSFET 12Amps, 60Volts N-Channel DPAK(12A, 60V，N通道，DPAK封裝的功率MOSFET)
NTD30N02T4 Power MOSFET 30 Amps, 24 Volts
NTD30N02 Power MOSFET 30Amps, 24Volts N-Channel DPAK(30A, 24V，N通道，DPAK封裝的功率MOSFET)
NTD4806N Power MOSFET 30 V, 76 A(30V, 76A, 功率MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NTD2955T4G 功能描述:MOSFET -60V -12A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTD2955T4G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:P CHANNEL MOSFET -60V 12A D-PAK
NTD2955T4G-CUT TAPE 制造商:ON 功能描述:NTD Series P-Channel 60 V 155 mOhm 55 W Tab Mount Power MOSFET - TO-252
NTD30 制造商:EDI 制造商全稱:Electronic devices inc. 功能描述:HIGH VOLTAGE-HIGH CURRENT SILICON RECTIFIERS
NTD3055-094 功能描述:MOSFET 60V 12A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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