參數(shù)資料
型號(hào)： NST3904DXV6T5
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Dual General Purpose Transistor
中文描述： 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, CASE 463A-01, 6 PIN
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 100K
代理商： NST3904DXV6T5
NST3904DXV6T1, NST3904DXV6T5
http://onsemi.com
5
TYPICAL AUDIO SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS
NOISE FIGURE VARIATIONS
(V
CE
= 5.0 Vdc, T
A
= 25
°
C, Bandwidth = 1.0 Hz)
Figure 8. Noise Figure
f, FREQUENCY (kHz)
4
6
8
10
12
2
0.1
Figure 9. Noise Figure
R
S
, SOURCE RESISTANCE (k OHMS)
0
N
1.0
2.0
4.0
10
20
40
0.2
0.4
0
100
4
6
8
10
12
2
14
0.1
1.0
2.0
4.0
10
20
40
0.2
0.4
100
N
f = 1.0 kHz
I
C
= 1.0 mA
I
C
= 0.5 mA
I
C
= 50 A
I
C
= 100 A
SOURCE RESISTANCE = 200
I
C
= 1.0 mA
SOURCE RESISTANCE = 200
I
C
= 0.5 mA
SOURCE RESISTANCE = 500
I
C
= 100 A
SOURCE RESISTANCE = 1.0 k
I
C
= 50 A
h PARAMETERS
(V
CE
= 10 Vdc, f = 1.0 kHz, T
A
= 25
°
C)
Figure 10. Current Gain
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
70
100
200
300
50
Figure 11. Output Admittance
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
h
f
h
o
Figure 12. Input Impedance
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 13. Voltage Feedback Ratio
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
30
100
50
5
10
20
2.0
3.0
5.0
7.0
10
1.0
0.1
0.2
1.0
2.0
5.0
0.5
10
0.3
0.5
3.0
0.7
2.0
5.0
10
20
1.0
0.2
0.5
h
r
h
i
0.1
0.2
1.0
2.0
5.0
10
0.3
0.5
3.0
0.1
0.2
1.0
2.0
5.0
10
0.3
0.5
3.0
2
1
0.1
0.2
1.0
2.0
5.0
10
0.3
0.5
3.0
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NST3904F3T5G 功能描述:兩極晶體管 - BJT SNGL NPN GP TRANS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NST3906DP6T5G 功能描述:兩極晶體管 - BJT DUAL PNP GP TRANS SOT-963 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NST3906DXV6T1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 40V Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NST3906DXV6T1/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Dual General Purpose Transistor
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