參數(shù)資料
型號： NST3904DXV6T5
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Dual General Purpose Transistor
中文描述： 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, CASE 463A-01, 6 PIN
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 100K
代理商： NST3904DXV6T5
NST3904DXV6T1, NST3904DXV6T5
http://onsemi.com
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
Input Impedance
(V
CE
= 10 Vdc, I
C
= 1.0 mAdc, f = 1.0 kHz)
h
ie
1.0
2.0
10
12
k
Voltage Feedback Ratio
(V
CE
= 10 Vdc, I
C
= 1.0 mAdc, f = 1.0 kHz)
h
re
0.5
0.1
8.0
10
X 10
- 4
Small- Signal Current Gain
(V
CE
= 10 Vdc, I
C
= 1.0 mAdc, f = 1.0 kHz)
h
fe
100
100
400
400
-
Output Admittance
(V
CE
= 10 Vdc, I
C
= 1.0 mAdc, f = 1.0 kHz)
h
oe
1.0
3.0
40
60
mhos
Noise Figure
(V
CE
= 5.0 Vdc, I
C
= 100 Adc, R
S
= 1.0 k
, f = 1.0 kHz)
NF
-
-
5.0
4.0
dB
SWITCHING CHARACTERISTICS
Delay Time
(V
CC
= 3.0 Vdc, V
BE
= -0.5 Vdc)
t
d
-
35
ns
Rise Time
(I
C
= 10 mAdc, I
B1
= 1.0 mAdc)
t
r
-
35
Storage Time
(V
CC
= 3.0 Vdc, I
C
= 10 mAdc)
t
s
-
200
ns
Fall Time
(I
B1
= I
B2
= 1.0 mAdc)
t
f
-
50
Figure 1. Delay and Rise Time
Equivalent Test Circuit
Figure 2. Storage and Fall Time
Equivalent Test Circuit
+3 V
275
10 k
1N916
C
s
< 4 pF*
+3 V
275
10 k
C
s
< 4 pF*
< 1 ns
0.5 V
+10.9 V
300 ns
DUTY CYCLE = 2%
< 1 ns
9.1 V
′
+10.9 V
DUTY CYCLE = 2%
t
1
0
10 < t
1
< 500 s
* Total shunt capacitance of test jig and connectors
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PDF描述
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參數(shù)描述
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NST3904F3T5G 功能描述:兩極晶體管 - BJT SNGL NPN GP TRANS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NST3906DP6T5G 功能描述:兩極晶體管 - BJT DUAL PNP GP TRANS SOT-963 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NST3906DXV6T1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 40V Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NST3906DXV6T1/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Dual General Purpose Transistor
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