參數(shù)資料
型號(hào)： NST3904DXV6T5
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Dual General Purpose Transistor
中文描述： 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, CASE 463A-01, 6 PIN
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 100K
代理商： NST3904DXV6T5
NST3904DXV6T1, NST3904DXV6T5
http://onsemi.com
4
TYPICAL TRANSIENT CHARACTERISTICS
Figure 3. Capacitance
REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
2.0
3.0
5.0
7.0
10
1.0
0.1
C
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30 40
0.2 0.3
0.5 0.7
C
ibo
C
obo
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
Figure 4. Turn- On Time
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
70
100
200
300
500
50
Figure 5. Rise Time
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
T
1.0
2.0 3.0
10
20
70
5
100
t
r
Figure 6. Storage Time
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 7. Fall Time
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
5.0 7.0
30
50
200
10
30
20
7
70
100
200
300
500
50
1.0
2.0 3.0
10
20
70
5
100
5.0 7.0
30
50
200
10
30
20
7
70
50
100
200
300
500
1.0
2.0 3.0
10
20
70
5
100
5.0 7.0
30
50
200
10
30
20
7
70
100
200
300
500
50
1.0
2.0 3.0
10
20
70
5
100
5.0 7.0
30
50
200
10
30
20
7
t
f
t
s
′
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
V
CC
= 40 V
I
B1
= I
B2
I
C
/I
B
= 20
I
C
/I
B
= 10
I
C
/I
B
= 10
t
r
@ V
CC
= 3.0 V
t
d
@ V
OB
= 0 V
40 V
15 V
2.0 V
I
C
/I
B
= 10
I
C
/I
B
= 20
I
C
/I
B
= 10
I
C
/I
B
= 20
t
′
s
= t
s
1
/
8
t
f
I
B1
=
I
B2
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PDF描述
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NST3904F3T5G 功能描述:兩極晶體管 - BJT SNGL NPN GP TRANS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NST3906DP6T5G 功能描述:兩極晶體管 - BJT DUAL PNP GP TRANS SOT-963 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NST3906DXV6T1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 40V Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NST3906DXV6T1/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Dual General Purpose Transistor
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