參數(shù)資料
型號(hào)： NSS40200LT1G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 40 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor(40V, 4.0A, 低VCE(sat) PNP晶體管)
中文描述： 2000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
封裝： HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 106K
代理商： NSS40200LT1G
NSS40200LT1G
http://onsemi.com
3
55
°
C
V
CE(sat)
= 150
°
C
IC/IB = 10
25
°
C
Figure 1. Collector Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current
Figure 2. Collector Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
10
1.0
0.1
0.01
0.001
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
Figure 3. DC Current Gain vs. Collector
Current
Figure 4. Base Emitter Saturation Voltage vs.
Collector Current
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
10
1.0
0.1
0.01
0.001
100
150
300
250
350
500
450
700
650
600
550
750
800
10
1.0
0.1
0.01
0.001
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
1.0
1.1
Figure 5. Base Emitter Turn
On Voltage vs.
Collector Current
Figure 6. Saturation Region
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
I
B
, BASE CURRENT (mA)
10
1.0
0.1
0.01
0.001
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.8
0.9
1.0
100
10
1.0
0.1
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
C
,
S
h
F
,
V
B
,
S
V
B
,
O
V
V
C
,
E
V
IC/IB = 100
25
°
C
55
°
C
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
10
1.0
0.1
0.01
0.001
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.35
V
C
,
S
V
CE(sat)
= 150
°
C
0.25
0.3
200
400
0.9
150
°
C (5.0 V)
150
°
C (2.0 V)
25
°
C (5.0 V)
25
°
C (2.0 V)
55
°
C (5.0 V)
55
°
C (2.0 V)
25
°
C
55
°
C
150
°
C
0.6
0.7
25
°
C
55
°
C
150
°
C
V
CE
=
2.0 V
V
CE
(V) I
C
= 500 mA
300 mA
10 mA
100 mA
IC/IB = 10
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