參數(shù)資料
型號(hào)： NSS35200CF8T1G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： High Current Surface Mount PNP Silicon Low VCE-SAT Switching Transistor for Load Management in Portable Applications
中文描述： 2000 mA, 35 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： LEAD FREE, MINIATURE, CASE 1206A-03, CHIPFET, 8 PIN
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大小： 66K
代理商： NSS35200CF8T1G
NSS35200CF8T1G
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typical
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
CollectorEmitter Breakdown Voltage
(I
C
= 10 mAdc, I
B
= 0)
V
(BR)CEO
35
45
Vdc
CollectorBase Breakdown Voltage
(I
C
= 0.1 mAdc, I
E
= 0)
V
(BR)CBO
55
65
Vdc
EmitterBase Breakdown Voltage
(I
E
= 0.1 mAdc, I
C
= 0)
V
(BR)EBO
5.0
7.0
Vdc
Collector Cutoff Current
(V
CB
= 35 Vdc, I
E
= 0)
I
CBO
0.03
0.1
Adc
CollectorEmitter Cutoff Current
(V
CES
= 35 Vdc)
I
CES
0.03
0.1
Adc
Emitter Cutoff Current
(V
EB
= 6.0 Vdc)
I
EBO
0.01
0.1
Adc
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain (Note 4)
(I
C
= 1.0 A, V
CE
= 2.0 V)
(I
C
= 1.5 A, V
CE
= 2.0 V)
(I
C
= 2.0 A, V
CE
= 2.0 V)
h
FE
100
100
100
200
200
200
400
CollectorEmitter Saturation Voltage (Note 4)
(I
C
= 0.1 A, I
B
= 0.010 A)
(I
C
= 1.0 A, I
B
= 0.010 A)
(I
C
= 2.0 A, I
B
= 0.02 A)
V
CE(sat)
0.10
0.15
0.30
V
BaseEmitter Saturation Voltage (Note 4)
(I
C
= 1.0 A, I
B
= 0.01 A)
V
BE(sat)
0.68
0.85
V
BaseEmitter Turnon Voltage (Note 4)
(I
C
= 2.0 A, V
CE
= 3.0 V)
V
BE(on)
0.81
0.875
V
Cutoff Frequency
(I
C
= 100 mA, V
CE
= 5.0 V, f = 100 MHz)
f
T
100
MHz
Input Capacitance (V
EB
= 0.5 V, f = 1.0 MHz)
Cibo
600
650
pF
Output Capacitance (V
CB
= 3.0 V, f = 1.0 MHz)
Cobo
85
100
pF
Turnon Time (V
CC
= 10 V, I
B1
= 100 mA, I
C
= 1 A, R
L
= 3 )
t
on
35
nS
Turnoff Time (V
CC
= 10 V, I
B1
= I
B2
= 100 mA, I
C
= 1 A, R
L
= 3 )
4. Pulsed Condition: Pulse Width = 300 sec, Duty Cycle
≤
2%
t
off
225
nS
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