參數(shù)資料
型號(hào)： NSS30201MR6T1G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 30V, 3A, Low VCE(sat) NPN Transistor(30V, 3A, 低VCE(sat) NPN晶體管)
中文描述： 2000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： LEAD FREE, CASE 318G-02, TSOP-6
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 65K
代理商： NSS30201MR6T1G
NSS30201MR6T1G
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
CollectorEmitter Breakdown Voltage
(I
C
= 10 mA, I
B
= 0)
V
(BR)CEO
30
V
CollectorBase Breakdown Voltage
(I
C
= 0.1 mA, I
E
= 0)
V
(BR)CBO
50
V
EmitterBase Breakdown Voltage
(I
E
= 0.1 mA, I
C
= 0)
V
(BR)EBO
5.0
V
Collector Cutoff Current
(V
CB
= 30 V, I
E
= 0)
I
CBO
0.1
A
CollectorEmitter Cutoff Current
(V
CES
= 30 V)
I
CES
0.1
A
Emitter Cutoff Current
(V
EB
= 4.0 V)
I
EBO
0.1
A
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain (Note 4)
(I
C
= 1.0 mA, V
CE
= 5.0 V)
(I
C
= 0.5 A, V
CE
= 5.0 V)
(I
C
= 1.0 A, V
CE
= 5.0 V)
h
FE
300
300
200
500
900
CollectorEmitter Saturation Voltage (Note 4)
(I
C
= 1.0 A, I
B
= 100 mA)
(I
C
= 0.5 A, I
B
= 50 mA)
(I
C
= 0.1 A, I
B
= 1.0 mA)
V
CE(sat)
0.10
0.06
0.05
0.200
0.125
0.075
V
BaseEmitter Saturation Voltage (Note 4)
(I
C
= 1.0 A, I
B
= 0.1 A)
V
BE(sat)
1.1
V
BaseEmitter Turnon Voltage (Note 4)
(I
C
= 1.0 A, V
CE
= 2.0 V)
V
BE(on)
1.1
V
Cutoff Frequency
(I
C
= 100 mA, V
CE
= 5.0 V, f = 100 MHz
f
T
200
300
MHz
Output Capacitance (f = 1.0 MHz)
C
obo
15
pF
4. Pulsed Condition: Pulse Width
≤
300 sec, Duty Cycle
≤
2%.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NSS35200CF8T1G High Current Surface Mount PNP Silicon Low VCE-SAT Switching Transistor for Load Management in Portable Applications
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參數(shù)描述
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