參數(shù)資料
型號(hào)： NSS20300MR6T1G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 20V, 5A, Low VCE(sat) PNP Transistor(20V,5A,低VCE(sat)，PNP型晶體管)
中文描述： 3 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： LEAD FREE, MINIATURE, CASE 318G-02, TSOP-6
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 49K
代理商： NSS20300MR6T1G
NSS20300MR6T1G
http://onsemi.com
3
PACKAGE DIMENSIONS
TSOP6
CASE 318G02
ISSUE N
0.95
0.037
1.9
0.075
0.95
0.037
mm
inches
SCALE 10:1
1.0
0.039
2.4
0.094
0.7
0.028
2
3
4
5
6
A
L
1
S
G
D
B
H
C
0.05 (0.002)
DIM
A
B
C
D
G
H
J
K
L
M
S
MIN
2.90
1.30
0.90
0.25
0.85
0.013
0.10
0.20
1.25
MAX
3.10
1.70
1.10
0.50
1.05
0.100
0.26
0.60
1.55
10
3.00
MIN
0.1142 0.1220
0.0512 0.0669
0.0354 0.0433
0.0098 0.0197
0.0335 0.0413
0.0005 0.0040
0.0040 0.0102
0.0079 0.0236
0.0493 0.0610
0
0.0985
MAX
INCHES
MILLIMETERS
0
10
0.1181
2.50
_
_
_
_
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER
ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. MAXIMUM LEAD THICKNESS INCLUDES
LEAD FINISH THICKNESS. MINIMUM LEAD
THICKNESS IS THE MINIMUM THICKNESS
OF BASE MATERIAL.
4. DIMENSIONS A AND B DO NOT INCLUDE
MOLD FLASH, PROTRUSIONS, OR GATE
BURRS.
M
J
K
STYLE 6:
PIN 1. COLLECTOR
2. COLLECTOR
3. BASE
4. EMITTER
5. COLLECTOR
6. COLLECTOR
SOLDERING FOOTPRINT*
*For additional information on our PbFree strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NSS20500UW3T2G 20 V, 7.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor(20V, 7.0A, 低VCE(sat) PNP晶體管)
NSS20600CF8T1G 20 V, 7.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor(20V, 7.0A, 低VCE(sat) PNP晶體管)
NSS30100LT1G 30V, 2A, Low VCE(sat) PNP Transistor(30V,2A,低VCE(sat)，PNP型晶體管)
NSS30101LT1G 30 V, 2 A, Low VCE(sat) NPN Transistor(30V, 2A, 低VCE(sat) NPN晶體管)
NSS30201MR6T1G 30V, 3A, Low VCE(sat) NPN Transistor(30V, 3A, 低VCE(sat) NPN晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NSS20300MR6T1G_07 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:20 V, 5 A, Low VCE(sat) PNP Transistor
NSS20500UW3T2G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 20V PNP LOW VCE(SAT) XTR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NSS20500UW3T2G_07 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:20 V, 7.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor
NSS20500UW3TBG 制造商:ON Semiconductor 功能描述:20V PNP LOW VCE(SAT) XTR - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / 20V PNP LOW VCE(SAT) XTR
NSS20501UW3T2G 功能描述:兩極晶體管 - BJT LO V NPN TRANSISTOR 20V 7.0A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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