參數(shù)資料
型號(hào)： NSS20300MR6T1G
廠(chǎng)商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： 20V, 5A, Low VCE(sat) PNP Transistor(20V,5A,低VCE(sat)，PNP型晶體管)
中文描述： 3 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： LEAD FREE, MINIATURE, CASE 318G-02, TSOP-6
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 49K
代理商： NSS20300MR6T1G
NSS20300MR6T1G
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typical
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
CollectorEmitter Breakdown Voltage
(I
C
= 10 mAdc, I
B
= 0)
V
(BR)CEO
20
Vdc
CollectorBase Breakdown Voltage
(I
C
= 0.1 mAdc, I
E
= 0)
V
(BR)CBO
30
Vdc
EmitterBase Breakdown Voltage
(I
E
= 0.1 mAdc, I
C
= 0)
V
(BR)EBO
6.0
Vdc
Collector Cutoff Current
(V
CB
= 20 Vdc, I
E
= 0)
I
CBO
0.1
Adc
CollectorEmitter Cutoff Current
(V
CES
= 20 Vdc)
I
CES
0.1
Adc
Emitter Cutoff Current
(V
EB
= 6.0 Vdc)
I
EBO
0.1
Adc
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(1)
(I
C
= 1.0 A, V
CE
= 1.5 V)
(I
C
= 1.5 A, V
CE
= 2.0 V)
(I
C
= 2.0 A, V
CE
= 2.0 V)
h
FE
100
100
100
230
400
CollectorEmitter Saturation Voltage (Note 3)
(I
C
= 0.10 A, I
B
= 0.010 A)
(I
C
= 1.0 A, I
B
= 0.010 A)
(I
C
= 2.0 A, I
B
= 0.02 A)
V
CE(sat)
0.010
0.127
0.250
0.015
0.145
0.320
V
BaseEmitter Saturation Voltage (Note 3)
(I
C
= 1A, I
B
= 0.010 A)
V
BE(sat)
0.85
V
BaseEmitter Turnon Voltage (Note 3)
(I
C
= 2.0 A, V
CE
= 3.0 V)
V
BE(on)
0.875
V
Cutoff Frequency
(I
C
= 100 mA, V
CE
= 5.0 V, f = 100 MHz)
f
T
100
MHz
Input Capacitance (V
EB
= 0.5 V, f = 1.0 MHz)
Cibo
650
pF
Output Capacitance (V
CB
= 3.0 V, f = 1.0 MHz)
3. Pulsed Condition: Pulse Width
≤
300 sec, Duty Cycle
≤
2%.
Cobo
100
pF
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PDF描述
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