參數(shù)資料
型號(hào): NSS12500UW3T2G
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: 12 V, 8.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor(12V, 8.0A, 低VCE(sat) PNP晶體管)
中文描述: 5000 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: LEAD FREE, MINIATURE, CASE 506AU-01, WDFN3, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 4/5頁(yè)
文件大小: 60K
代理商: NSS12500UW3T2G
NSS12500UW3T2G
http://onsemi.com
4
V
CE
(V
dc
)
Figure 7. Input Capacitance
V
EB
, EMITTER BASE VOLTAGE (V)
0
650
450
400
350
250
200
3.0
1.0
2.0
300
600
550
500
5.0
4.0
6.0
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
100
C
ibo
(pF)
C
i
,
Figure 8. Output Capacitance
V
CB
, COLLECTOR BASE VOLTAGE (V)
0
250
200
150
50
0
6.0
2.0
4.0
100
350
300
10
8.0
14
C
obo
(pF)
C
o
,
Figure 9. PNP Safe Operating Area
12
I
C
1.0 mS
10 mS
100 mS
1.0 S
Thermal
Limit
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PDF描述
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參數(shù)描述
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NSS12501UW3T2G 功能描述:兩極晶體管 - BJT LO V NPN TRANSISTOR 12V 7.0A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NSS12600CF8T1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT SBN_BE (MY1) CHPFET 12V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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