參數(shù)資料
型號(hào)： NSBC114YPDXV6T1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Dual Bias Resistor Transistors(雙偏置電阻晶體管)
中文描述： 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, CASE 463A-01, 6 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 8/14頁(yè)
文件大?。?/td> 171K
代理商： NSBC114YPDXV6T1
NSBC114EPDXV6T1, NSBC114EPDXV6T5
http://onsemi.com
8
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS NSBC124EPDXV6T1 PNP TRANSISTOR
V
I
h
Figure 17. V
CE(sat)
versus I
C
Figure 18. DC Current Gain
1000
10
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
10
1
100
Figure 19. Output Capacitance
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
0
10
20
30
V
O
= 0.2 V
T
A
=25
°
C
75
°
C
100
10
1
0.1
40
50
Figure 20. Output Current versus Input Voltage
100
10
1
0.1
0.01
0.0010
1
2
3
4
V
in
, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
5
6
7
8
9
10
Figure 21. Input Voltage versus Output Current
0.01
V
0.1
1
10
40
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
0
20
50
75
°
C
25
°
C
T
A
=25
°
C
50
0
10
20
30
40
4
3
2
1
0
V
R
, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
C
25
°
C
I
C
/I
B
= 10
25
°
C
25
°
C
V
CE
= 10 V
T
A
=75
°
C
f = 1 MHz
l
E
= 0 V
T
A
= 25
°
C
75
°
C
25
°
C
T
A
=25
°
C
V
O
= 5 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NSBMC016 Burst Memory Controller(脈沖存儲(chǔ)控制器)
NSBMC025 Burst Memory Controller(脈沖存儲(chǔ)控制器)
NSBMC096 Burst Memory Controller(脈沖存儲(chǔ)控制器)
NSBMC033 Burst Memory Controller(脈沖存儲(chǔ)控制器)
NSBMC096VF NSBMC096-16/-25/-33 Burst Memory Controller
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NSBC114YPDXV6T1G 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
NSBC114YPDXV6T5 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA Complementary RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
NSBC114YPDXV6T5G 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
NSBC115EDXV6T1 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V Dual NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
NSBC115EDXV6T1G 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V Dual NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*