參數(shù)資料
型號: NSBC114YPDXV6T1
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: Dual Bias Resistor Transistors(雙偏置電阻晶體管)
中文描述: 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: PLASTIC, CASE 463A-01, 6 PIN
文件頁數(shù): 7/14頁
文件大?。?/td> 171K
代理商: NSBC114YPDXV6T1
NSBC114EPDXV6T1, NSBC114EPDXV6T5
http://onsemi.com
7
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS NSBC124EPDXV6T1 NPN TRANSISTOR
V
I
h
Figure 12. V
CE(sat)
versus I
C
Figure 13. DC Current Gain
Figure 14. Output Capacitance
Figure 15. Output Current versus Input Voltage
1000
10
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
T
A
=75
°
C
25
°
C
25
°
C
100
101
100
75
°
C
25
°
C
100
0
V
in
, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
10
1
0.1
0.01
0.001
2
4
6
8
10
T
A
=25
°
C
0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
T
A
=25
°
C
75
°
C
10
1
0.1
10
20
30
40
50
25
°
C
Figure 16. Input Voltage versus Output
Current
0.001
V
T
A
=25
°
C
75
°
C
25
°
C
0.01
0.1
1
40
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
0
20
50
50
0
10
20
30
40
4
3
2
1
0
V
R
, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
C
I
C
/I
B
= 10
V
CE
= 10 V
f = 1 MHz
I
E
= 0 V
T
A
= 25
°
C
V
O
= 5 V
V
O
= 0.2 V
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NSBC114YPDXV6T1G 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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