參數(shù)資料
型號: NSBC114YPDXV6T1
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: Dual Bias Resistor Transistors(雙偏置電阻晶體管)
中文描述: 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: PLASTIC, CASE 463A-01, 6 PIN
文件頁數(shù): 2/14頁
文件大小: 171K
代理商: NSBC114YPDXV6T1
NSBC114EPDXV6T1, NSBC114EPDXV6T5
http://onsemi.com
2
DEVICE MARKING AND RESISTOR VALUES
Device
Package
Marking
R1 (k )
R2 (k )
NSBC114EPDXV6T1
SOT563
11
10
10
NSBC124EPDXV6T1
SOT563
12
22
22
NSBC144EPDXV6T1
SOT563
13
47
47
NSBC114YPDXV6T1
SOT563
14
10
47
NSBC114TPDXV6T1 (Note 2)
SOT563
15
10
NSBC143TPDXV6T1 (Note 2)
SOT563
16
4.7
NSBC113EPDXV6T1 (Note 2)
SOT563
30
1.0
1.0
NSBC123EPDXV6T1 (Note 2)
SOT563
31
2.2
2.2
NSBC143EPDXV6T1 (Note 2)
SOT563
32
4.7
4.7
NSBC143ZPDXV6T1 (Note 2)
SOT563
33
4.7
47
NSBC124XPDXV6T1 (Note 2)
SOT563
34
22
47
NSBC123JPDXV6T1 (Note 2)
SOT563
35
2.2
47
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted, common for Q
1
and Q
2
, minus sign for Q
1
(PNP) omitted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Base Cutoff Current (V
CB
= 50 V, I
E
= 0)
I
CBO
100
nAdc
Collector-Emitter Cutoff Current (V
CE
= 50 V, I
B
= 0)
I
CEO
500
nAdc
Emitter-Base Cutoff Current
(V
EB
= 6.0 V, I
C
= 0)
NSBC114EPDXV6T1
NSBC124EPDXV6T1
NSBC144EPDXV6T1
NSBC114YPDXV6T1
NSBC114TPDXV6T1
NSBC143TPDXV6T1
NSBC113EPDXV6T1
NSBC123EPDXV6T1
NSBC143EPDXV6T1
NSBC143ZPDXV6T1
NSBC124XPDXV6T1
NSBC123JPDXV6T1
I
EBO
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
mAdc
Collector-Base Breakdown Voltage (I
C
= 10 A, I
E
= 0)
V
(BR)CBO
50
Vdc
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Note 3) (I
C
= 2.0 mA, I
B
= 0)
V
(BR)CEO
50
Vdc
ON CHARACTERISTICS
(Note 3)
DC Current Gain
(V
CE
= 10 V, I
C
= 5.0 mA)
NSBC114EPDXV6T1
NSBC124EPDXV6T1
NSBC144EPDXV6T1
NSBC114YPDXV6T1
NSBC114TPDXV6T1
NSBC143TPDXV6T1
NSBC113EPDXV6T1
NSBC123EPDXV6T1
NSBC143EPDXV6T1
NSBC143ZPDXV6T1
NSBC124XPDXV6T1
NSBC123JPDXV6T1
h
FE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
80
60
100
140
140
350
350
5.0
15
30
200
150
140
Collector-Emitter Saturation Voltage
(I
C
= 10 mA, I
B
= 0.3 mA)
(I
C
= 10 mA, I
B
= 5 mA)
(I
C
= 10 mA, I
B
= 1 mA)
NSBC143EPDXV6T1/NSBC143ZPDXV6T1/NSBC124XPDXV6T1
NSBC113EPDXV6T1/NSBC123EPDXV6T1
NSBC114TPDXV6T1/NSBC143TPDXV6T1
V
CE(sat)
0.25
Vdc
2. New resistor combinations. Updated curves to follow in subsequent data sheets.
3. Pulse Test: Pulse Width < 300 s, Duty Cycle < 2.0%
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PDF描述
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參數(shù)描述
NSBC114YPDXV6T1G 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
NSBC114YPDXV6T5 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA Complementary RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
NSBC114YPDXV6T5G 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
NSBC115EDXV6T1 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V Dual NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
NSBC115EDXV6T1G 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V Dual NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel