參數(shù)資料
型號： NSBC114YPDXV6T1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Dual Bias Resistor Transistors(雙偏置電阻晶體管)
中文描述： 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, CASE 463A-01, 6 PIN
文件頁數(shù)： 13/14頁
文件大小： 171K
代理商： NSBC114YPDXV6T1
NSBC114EPDXV6T1, NSBC114EPDXV6T5
http://onsemi.com
13
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS NSBC114TPDXV6T1
Figure 42. DC Current Gain PNP
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.0
10
100
HF
1000
100
Figure 43. DC Current Gain NPN
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.0
10
100
HF000
100
T
A
= 25
°
C
V
CE
= 5.0 V
V
CE
= 10 V
T
A
= 25
°
C
V
CE
= 5.0 V
V
CE
= 10 V
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS NSBC143TPDXV6T1
Figure 44. DC Current Gain PNP
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.0
10
100
HF
1000
100
Figure 45. DC Current Gain NPN
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.0
10
100
HF000
100
T
A
= 25
°
C
V
CE
= 5.0 V
V
CE
= 10 V
T
A
= 25
°
C
V
CE
= 5.0 V
V
CE
= 10 V
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PDF描述
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參數(shù)描述
NSBC114YPDXV6T1G 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
NSBC114YPDXV6T5 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA Complementary RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
NSBC114YPDXV6T5G 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
NSBC115EDXV6T1 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V Dual NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
NSBC115EDXV6T1G 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V Dual NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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