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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NSBA114EDXV6T1 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | Dual Bias Resistor Transistors(雙偏置電阻晶體管) |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, CASE 463A-01, 6 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/12頁(yè) |
| 文件大小： | 132K |
| 代理商： | NSBA114EDXV6T1 |
NSBA114EDXV6T1, NSBA114EDXV6T5
http://onsemi.com
8
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS — NSBA114TDXV6T1
Figure 22. DC Current Gain
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.0
10
100
HF
1000
100
T
A
= 25
°
C
V
CE
= 5.0 V
V
CE
= 10 V
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS — NSBA143TDXV6T1
Figure 23. DC Current Gain
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.0
10
100
HF
1000
100
T
A
= 25
°
C
V
CE
= 5.0 V
V
CE
= 10 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NSBA114EDXV6T1G | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V Dual PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| NSBA114EDXV6T5 | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V Dual PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| NSBA114EDXV6T5G | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V Dual PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| NSBA114EF3 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 10 k |
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