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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NSBA114EDXV6T1 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | Dual Bias Resistor Transistors(雙偏置電阻晶體管) |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, CASE 463A-01, 6 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 132K |
| 代理商： | NSBA114EDXV6T1 |
NSBA114EDXV6T1, NSBA114EDXV6T5
http://onsemi.com
2
DEVICE MARKING AND RESISTOR VALUES
Device
Package
Marking
R1 (k )
R2 (k )
NSBA114EDXV6T1
SOT563
0A
10
10
NSBA124EDXV6T1
SOT563
0B
22
22
NSBA144EDXV6T1
SOT563
0C
47
47
NSBA114YDXV6T1
SOT563
0D
10
47
NSBA114TDXV6T1 (Notes 2)
SOT563
0E
10
∞
NSBA143TDXV6T1 (Notes 2)
SOT563
0F
4.7
∞
NSBA113EDXV6T1 (Notes 2)
SOT563
0G
1.0
1.0
NSBA123EDXV6T1 (Notes 2)
SOT563
0H
2.2
2.2
NSBA143EDXV6T1 (Notes 2)
SOT563
0J
4.7
4.7
NSBA143ZDXV6T1 (Notes 2)
SOT563
0K
4.7
47
NSBA124XDXV6T1 (Notes 2)
SOT563
0L
22
47
NSBA123JDXV6T1 (Notes 2)
SOT563
0M
2.2
47
NSBA115EDXV6T1 (Notes 2)
SOT563
0N
100
100
NSBA144WDXV6T1 (Notes 2)
SOT563
0P
47
22
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted, common for Q
1
and Q
2
)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Base Cutoff Current (V
CB
= 50 V, I
E
= 0)
I
CBO
100
nAdc
Collector-Emitter Cutoff Current (V
CE
= 50 V, I
B
= 0)
I
CEO
500
nAdc
Emitter-Base Cutoff Current
(V
EB
= 6.0 V, I
C
= 0)
NSBA114EDXV6T1
NSBA124EDXV6T1
NSBA144EDXV6T1
NSBA114YDXV6T1
NSBA114TDXV6T1
NSBA143TDXV6T1
NSBA113EDXV6T1
NSBA123EDXV6T1
NSBA143EDXV6T1
NSBA143ZDXV6T1
NSBA124XDXV6T1
NSBA123JDXV6T1
NSBA115EDXV6T1
NSBA144WDXV6T1
I
EBO
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
0.05
0.13
mAdc
Collector-Base Breakdown Voltage (I
C
= 10 A, I
E
= 0)
V
(BR)CBO
50
Vdc
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Note 3) (I
C
= 2.0 mA, I
B
= 0)
V
(BR)CEO
50
Vdc
ON CHARACTERISTICS
(Note 3)
Collector-Emitter Saturation Voltage (I
= 10 mA, I
= 0.3 mA)
(I
C
= 10 mA, I
B
= 5 mA)
NSBA113EDXV6T1/NSBA123EDXV6T1
(I
C
= 10 mA, I
B
= 1 mA)
NSBA114TDXV6T1/NSBA143TDXV6T1
NSBA143EDXV6T1/NSBA143ZDXV6T1/NSBA124XDXV6T1
V
CE(sat)
0.25
Vdc
2. New resistor combinations. Updated curves to follow in subsequent data sheets.
3. Pulse Test: Pulse Width < 300 s, Duty Cycle < 2.0%
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NSBA114YDXV6T1 | Dual Bias Resistor Transistors(雙偏置電阻晶體管) |
| NSBC143TPDXV6T1 | Dual Bias Resistor Transistors(雙偏置電阻晶體管) |
| NSBC144EPDXV6T1 | Dual Bias Resistor Transistors(雙偏置電阻晶體管) |
| NSBC114EPDXV6T1 | Dual Bias Resistor Transistors(雙偏置電阻晶體管) |
| NSBC114EPDXV6T5 | Dual Bias Resistor Transistors(雙偏置電阻晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NSBA114EDXV6T1G | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V Dual PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| NSBA114EDXV6T5 | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V Dual PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| NSBA114EDXV6T5G | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V Dual PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| NSBA114EF3 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 10 k |
| NSBA114EF3T5G | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 SOT-1123 NBRT TRNSTR RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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