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參數(shù)資料
| 型號： | NSBA114EDXV6T1 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Dual Bias Resistor Transistors(雙偏置電阻晶體管) |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, CASE 463A-01, 6 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 11/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 132K |
| 代理商： | NSBA114EDXV6T1 |
NSBA114EDXV6T1, NSBA114EDXV6T5
http://onsemi.com
11
PACKAGE DIMENSIONS
SOT563, 6 LEAD
CASE 463A01
ISSUE O
G
M
0.08 (0.003)
X
D
6 PL
C
J
X
Y
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETERS
3. MAXIMUM LEAD THICKNESS INCLUDES LEAD
FINISH THICKNESS. MINIMUM LEAD THICKNESS
IS THE MINIMUM THICKNESS OF BASE
MATERIAL.
DIM
A
B
C
D
G
J
K
S
MIN
1.50
1.10
0.50
0.17
0.50 BSC
0.08
0.10
1.50
MAX
1.70
1.30
0.60
0.27
MIN
0.059
0.043
0.020
0.007
0.020 BSC
0.003
0.004
0.059
MAX
0.067
0.051
0.024
0.011
INCHES
MILLIMETERS
0.18
0.30
1.70
0.007
0.012
0.067
STYLE 1:
PIN 1. EMITTER 1
2. BASE 1
3. COLLECTOR 2
4. EMITTER 2
5. BASE 2
6. COLLECTOR 1
A
B
Y
1
2
3
4
5
S
K
STYLE 2:
PIN 1. EMITTER 1
2. EMITTER2
3. BASE 2
4. COLLECTOR 2
5. BASE 1
6. COLLECTOR 1
6
STYLE 3:
PIN 1. CATHODE 1
2. CATHODE 1
3. ANODE/ANODE 2
4. CATHODE 2
5. CATHODE 2
6. ANODE/ANODE 1
STYLE 4:
PIN 1. COLLECTOR
2. COLLECTOR
3. BASE
4. EMITTER
5. COLLECTOR
6. COLLECTOR
1.35
0.0531
0.5
0.0197
mm
inches
SCALE 20:1
0.5
0.0197
1.0
0.0394
0.45
0.0177
0.3
0.0118
*For additional information on our PbFree strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
SOLDERING FOOTPRINT*
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NSBA114YDXV6T1 | Dual Bias Resistor Transistors(雙偏置電阻晶體管) |
| NSBC143TPDXV6T1 | Dual Bias Resistor Transistors(雙偏置電阻晶體管) |
| NSBC144EPDXV6T1 | Dual Bias Resistor Transistors(雙偏置電阻晶體管) |
| NSBC114EPDXV6T1 | Dual Bias Resistor Transistors(雙偏置電阻晶體管) |
| NSBC114EPDXV6T5 | Dual Bias Resistor Transistors(雙偏置電阻晶體管) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NSBA114EDXV6T1G | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V Dual PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| NSBA114EDXV6T5 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V Dual PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| NSBA114EDXV6T5G | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V Dual PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| NSBA114EF3 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 10 k |
| NSBA114EF3T5G | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 SOT-1123 NBRT TRNSTR RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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