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參數(shù)資料
| 型號： | NSB9435T1 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | High Current Bias Resistor Transistors(高強度電流偏置電阻晶體管) |
| 中文描述： | 3000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-261AA |
| 封裝： | CASE 318E-04, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/8頁 |
| 文件大小： | 64K |
| 代理商： | NSB9435T1 |
NSB9435T1
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristics
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
ON CHARACTERISTICS
(Note 1)
(I
C
= 10 mAdc, I
B
= 0 Adc)
Emitter–Base Voltage
(I
E
= 50 Adc, I
C
= 0 Adc)
V
30
6.0
–
–
–
–
Vdc
Vdc
(V
CE
= 25 Vdc, T
J
= 125
°
C)
Collector Cutoff Current
CE
I
CER
–
–
200
μ
(V
BE
= 5.0 Vdc)
I
–
–
700
Adc
(I
C
= 3.0 Adc, I
B
= 0.3 Adc)
Base–Emitter Saturation Voltage
(I
C
= 3.0 Adc, I
B
= 0.3 Adc)
Collector–Emitter Saturation Voltage
C
B
V
V
–
–
–
–
0.550
1.25
Vdc
Vdc
Base–Emitter On Voltage
90
V
BE(on)
–
–
Vdc
C
CE
(I
C
= 1.2 Adc, V
CE
= 1.0 Vdc)
FE
110
–
–
2. f
T
= |h
FE
| f
test
Output Capacitance
C
ob
–
135
–
pF
(V
= 8.0 Vdc)
ib
(I
C
= 500 mA, V
CE
= 10 V, F
test
= 1.0 MHz)
f
–
110
–
MHz
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