- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄363665 > NSAM266SAA (National Semiconductor Corporation) 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NSAM266SAA |
| 廠商： | National Semiconductor Corporation |
| 元件分類： | FLASH |
| 英文描述： | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位統(tǒng)一部門，串行閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 14/52頁 |
| 文件大?。?/td> | 571K |
| 代理商： | NSAM266SAA |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁當(dāng)前第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁
1.0 Hardware
(Continued)
TL/EE/12584–15
Signal B starts after rising or falling edge of signal A.
FIGURE 1-13. Asynchronous Signals
The RESET signal has a Schmitt trigger input buffer. Figure 1-14 shows the characteristics of the input buffer.
TL/EE/12584–16
FIGURE 1-14. Hysteresis Input Characteristics
http://www.national.com
14
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NSB8 | BASIC interpreter for Z80 family |
| NSB9435T1 | High Current Bias Resistor Transistors(高強(qiáng)度電流偏置電阻晶體管) |
| NSBA114EDXV6T1 | Dual Bias Resistor Transistors(雙偏置電阻晶體管) |
| NSBA114YDXV6T1 | Dual Bias Resistor Transistors(雙偏置電阻晶體管) |
| NSBC143TPDXV6T1 | Dual Bias Resistor Transistors(雙偏置電阻晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NSAM266SAA/V | 制造商:NSC 制造商全稱:National Semiconductor 功能描述:NSAM266SA CompactSPEECHTM Digital Speech Processor with Serial Flash Interface |
| NSAM266SAA/VLJ | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Solid-State Recorder |
| NSAM266SC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| NSAM266SCA/V | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Solid-State Recorder |
| NSAM266SCA/VLJ | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Solid-State Recorder |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。