參數(shù)資料
型號(hào)： NLAS3699BMN1R2G
廠(chǎng)商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： 多路復(fù)用及模擬開(kāi)關(guān)
英文描述： Dual DPDT Ultra−Low RON Switch
中文描述： DUAL 2-CHANNEL, DBL POLE DBL THROW SWITCH, QCC16
封裝： 3 X 3 MM, 0.85 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-220VEED-6, QFN-16
文件頁(yè)數(shù)： 7/10頁(yè)
文件大小： 104K
代理商： NLAS3699BMN1R2G
NLAS3699B
http://onsemi.com
7
Channel switch control/s test socket is normalized. Off isolation is measured across an off channel. On loss is
the bandwidth of an On switch. V
ISO
, Bandwidth and V
ONL
are independent of the input signal direction.
VOUT
V
ISO
= Off Channel Isolation = 20 Log VIN
IN
at 100 kHz
V
ONL
= On Channel Loss = 20 Log VIN
IN
at 100 kHz to 50 MHz
Bandwidth (BW) = the frequency 3 dB below V
ONL
V
CT
= Use V
ISO
setup and test to all other switch analog input/outputs terminated with 50
Output
DUT
Input
50
50
Generator
Reference
Transmitted
Figure 5. Off Channel Isolation/On Channel Loss (BW)/Crosstalk
(On Channel to Off Channel)/V
ONL
50
Off
On
Off
V
OUT
V
CC
GND
Output
V
IN
C
L
DUT
Figure 6. Charge Injection: (Q)
V
IN
Open
Output
Figure 7. Total Harmonic Distortion Plus Noise
Versus Frequency
0.01
0.1
1
0.001
10
100
1000
10000
100000
FREQUENCY (Hz)
T
Figure 8. Charge Injection versus V
is
20
15
10
5
0
5
0
0.5
1
1.5
V
IN
(V)
C
25
30
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
1.65 V
2.5 V
3.0 V
3.6 V
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PDF描述
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