參數(shù)資料
型號(hào): NGD18N40CLB
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts
中文描述: 15 A, 430 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: CASE 369C, DPAK-3
文件頁(yè)數(shù): 7/8頁(yè)
文件大?。?/td> 70K
代理商: NGD18N40CLB
NGD18N40CLBT4
http://onsemi.com
7
0.2
0.1
0.00001
0.001
0.0001
0.1
100
0.1
0.0001
0.01
t,TIME (S)
R
°
C
Single Pulse
1
0.05
0.02
0.01
Duty Cycle = 0.5
0.01
Figure 19. Transient Thermal Resistance
(Nonnormalized JunctiontoAmbient mounted on
minimum pad area)
1
10
0.001
P
(pk)
t
1
t
2
DUTY CYCLE, D = t
1
/t
2
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t
1
T
J(pk)
T
A
= P
(pk)
R
JA
(t)
R
JC
R(t) for t
0.2 s
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NGD18N40CLBT4 Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts
NID5001N Self-protected FET with Temperature and Current Limit(自保護(hù)型FET(帶過(guò)溫和過(guò)流保護(hù)))
NID5003N Self-Protected FET with Temperature and Current Limit(帶溫度和電流限制的自保護(hù)FET)
NID5003NT4 42 V, 20 A, Single N−Channel, DPAK
NID6002N Self(自保護(hù)型FET(帶過(guò)溫和過(guò)流保護(hù)))
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參數(shù)描述
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