參數(shù)資料
型號(hào): NGD15N41CL
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi): IGBT 晶體管
英文描述: Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts
中文描述: 15 A, 440 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: CASE 369C, DPAK-3
文件頁(yè)數(shù): 6/12頁(yè)
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代理商: NGD15N41CL
NGD15N41CLT4, NGB15N41CLT4, NGP15N41CL
http://onsemi.com
6
0.2
0.00001
0.001
0.0001
0.1
10
1
0.01
0.01
t,TIME (S)
R
°
C
Single Pulse
1
10
0.1
0.05
0.02
0.01
100
1000
Duty Cycle = 0.5
0.1
Figure 13. Transient Thermal Resistance
(Nonnormalized JunctiontoAmbient mounted on
fixture in Figure 14)
P
(pk)
t
1
t
2
DUTY CYCLE, D = t
1
/t
2
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT T
1
T
J(pk)
T
A
= P
(pk)
R
θ
JA
(t)
R
θ
JC
R(t) for t
0.2 s
4
1.5
4
4
0.125
Figure 14. Test Fixture for Transient Thermal Curve
(48 square inches of 1/8 thick aluminum)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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NGP15N41CL Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts(隔離柵雙極性晶體管,15A,410V)
NGD18N40CLB Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts
NGD18N40CLBT4 Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts
NID5001N Self-protected FET with Temperature and Current Limit(自保護(hù)型FET(帶過(guò)溫和過(guò)流保護(hù)))
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參數(shù)描述
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NGD15N41CLT4 功能描述:IGBT 晶體管 15A 410V Ignition RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
NGD15N41CLT4G 功能描述:IGBT 晶體管 15A 410V Ignition RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
NGD15N41CLT4G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:IGBT
NGD18N40ACLB 制造商:ONSEMI 制造商全稱(chēng):ON Semiconductor 功能描述:Ignition IGBT, 18 A, 400 V N.Channel DPAK