- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄361118 > NGD15N41CL (ON SEMICONDUCTOR) Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | NGD15N41CL |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts |
| 中文描述： | 15 A, 440 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | CASE 369C, DPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 5/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 94K |
| 代理商： | NGD15N41CL |
NGD15N41CLT4, NGB15N41CLT4, NGP15N41CL
http://onsemi.com
5
TEMPERATURE (
°
C)
T
50
50
70
10
10
90
30
130 150
Mean + 4
σ
Mean 4
σ
Mean
GATE TO EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
1.2
0.2
0
2
0.6
1
1.6
10000
1000
100
10
0
6
4
0
50
8
10
12
Figure 7. CollectortoEmitter Voltage versus
GatetoEmitter Voltage
Figure 8. Capacitance Variation
Figure 9. Gate Threshold Voltage versus
Temperature
Figure 10. Minimum Open Secondary Latch
Current versus Temperature
TEMPERATURE (
°
C)
I
L
,
Figure 11. Typical Open Secondary Latch
Current versus Temperature
V
CE
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 12. Inductive Switching Fall Time
versus Temperature
TEMPERATURE (
°
C)
C
S
μ
s
0
120
60
40
20
140
180
50
50
75
25
0
100
25
125
10
20
5
15
0
25
30
T
J
= 150
°
C
175
V
CC
= 50 V
V
GE
= 5 V
R
G
= 1000
L = 6 mH
200
80
100
160
50
70
30
10
90
30
130
150
t
f
V
CC
= 300 V
V
GE
= 5 V
R
G
= 1000
I
C
= 10 A
L = 300
μ
H
C
rss
C
iss
C
oss
2.5
3
6
7
5
8
4
9
1
0.5
2
0
3
1.5
10
I
C
= 15 A
I
C
= 10 A
I
C
= 5 A
C
1
30
110
0.4
0.8
1.4
1.8
150
L = 3 mH
L = 2 mH
TEMPERATURE (
°
C)
I
L
,
50
50
75
25
0
100
25
125
10
20
5
15
0
25
30
175
V
CC
= 50 V
V
GE
= 5 V
R
G
= 1000
L = 6 mH
150
L = 3 mH
L = 2 mH
2
10
110
t
d(off)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NGD15N41CLT4 | Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts |
| NGP15N41CL | Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts(隔離柵雙極性晶體管，15A，410V) |
| NGD18N40CLB | Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts |
| NGD18N40CLBT4 | Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts |
| NID5001N | Self-protected FET with Temperature and Current Limit(自保護型FET（帶過溫和過流保護）) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NGD15N41CL/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Ignition IGBT DPAK 15 Amps， 410 Volts， 2.1 V(max) |
| NGD15N41CLT4 | 功能描述:IGBT 晶體管 15A 410V Ignition RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| NGD15N41CLT4G | 功能描述:IGBT 晶體管 15A 410V Ignition RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| NGD15N41CLT4G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:IGBT |
| NGD18N40ACLB | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Ignition IGBT, 18 A, 400 V N.Channel DPAK |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。