參數(shù)資料
型號： NEL200101-24
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR L Band Power Amplifier
中文描述： NPN硅外延晶體管L波段功率放大器
文件頁數(shù)： 7/12頁
文件大?。?/td> 88K
代理商： NEL200101-24
NEL200101-24
7
Circuit Drawing
2.3
8
1
40 mm
10
6
input
output
10
1
2
1
17
5
20
6
3.3
2.3
2
1
6
2.5
1
Thru
hole 1 mm
×
4
0.5
3.15
4.15
1
22
3
8
3
1
25
7
7
6
1
3
1
22
1
40 mm
8
1
SUBSTRATE (TEFLON)
DICLAD 522T
THICKNESS = 0.79 mm
DOUBLE SIDE 35 m Cu
r
= 2.6
ε
6
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PDF描述
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NEL2012F03-24 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR L BAND POWER AMPLIFIER
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